Производитель
- Infineon Technologies
- MACOM Technology Solutions
- Microchip Technology
- Microsemi Corporation
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas
- Renesas Electronics America Inc.
- Skyworks Solutions Inc.
Модельный ряд
- *
- -
- GC15000
- GCX1202
- GCX1204
- GCX1206
- GCX1208
- GCX1209
- GCX1211
- MA464xx
- MA46603
- MA4ST1200
- MPV
- SMV1231
- SMV1237
- SMV1245
- SMV1249
- SMV1413
- SMV1494
- SMV2019
- SMV2020
- SMV2022
- SMV2023
- ГИГАМИТ®
- МА46
- МАВР-000400
- МАВР-0454xx
- МГВ
- МСВ34000
Пакет
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Лоток
- Масса
- Насыпной
- Поднос
- Разрезанная лента (CT)
- Сумка
Статус части
- Активный
- Не для новых дизайнов
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Прекращено в
- Производство прекращено в
- Снято с производства в
- Устаревший
Емкость при Vr, F
- -
- 0,05 пФ при 15 В, 1 МГц
- 0,2 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 0,27 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,2пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35пФ @ 20В, 1МГц
- 0,35пФ @ 8В, 1МГц
- 0,3пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3пФ @ 4В, 1МГц
- 0,42 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 0,45 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,4пФ @ 20В, 1МГц
- 0,4пФ @ 4В, 1МГц
- 0,4пФ @ 6В, 1МГц
- 0,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,5 пФ при 6 В, 1 МГц
- 0,51 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,52пФ @ 28В, 1МГц
- 0,55 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,55пФ @ 20В, 1МГц
- 0,5пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,61пФ @ 6В, 500МГц
- 0,61пФ @ 6В, 50МГц
- 0,6пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6пФ @ 6В, 1МГц
- 0,7 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,75пФ @ 26В, 1МГц
- 0,75пФ @ 30В, 1МГц
- 0,76пФ @ 25В, 1МГц
- 0,77 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,78пФ @ 4,7В, 50МГц
- 0,7пФ @ 20В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 50МГц
- 0,83пФ @ 26В, 1МГц
- 0,8пФ @ 4В, 1МГц
- 0,8пФ @ 6В, 1МГц
- 0,94 пФ при 6 В, 500 МГц
- 0,94пФ @ 6В, 500МГц
- 0,94пФ @ 6В, 50МГц
- 0,9пФ @ 20В, 1МГц
- 0,9пФ @ 28В, 1МГц
- 0.14pF @ 20V, 1MHz
- 0.25pF @ 20V, 1MHz
- 0.34pF @ 20V, 50MHz
- 0.43pF @ 20V, 50MHz
- 0.4pF @ 0V, 1MHz
- 1,055пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,05пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,08пФ @ 20В, 1МГц
- 1,1 пФ @ 0 В, 1 МГц
- 1,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,17 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,1пФ @ 6В, 50МГц
- 1,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,2 пФ при 6 В, 1 МГц
- 1,25 пФ @ 18 В, 1 МГц
- 1,2пФ @ 28В, 1МГц
- 1,2пФ @ 4В, 1МГц
- 1,32 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,3пФ @ 20В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 50МГц
- 1,5 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,5пФ @ 3В, 1МГц
- 1,5пФ @ 4В, 1МГц
- 1,7пФ @ 4,7В, 50МГц
- 1,8 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 1,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,81пФ @ 4В, 1МГц
- 1,8пФ @ 4В, 1МГц
- 1,98 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,9пФ @ 6В, 50МГц
- 1.1pF @ 20V, 1MHz
- 10,6 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 10,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 10пФ @ 20В, 1МГц
- 10пФ @ 4В, 1МГц
- 11,2 пФ при 2,3 В, 1 МГц
- 11,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 11пФ @ 4В, 1МГц
- 12,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 12,5пФ @ 2,5В, 1МГц
- 120пФ @ 4В, 1МГц
- 12пФ @ 4В, 50МГц
- 13,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 13,4 пФ @ 9 В, 1 МГц
- 13,5 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 13,8пФ @ 2В, 1МГц
- 13пФ @ 8В, 1МГц
- 14,4 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 14,5 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 14,8 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 16,2 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 16,2 пФ при 1 В, 1 МГц
- 16,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 16,5пФ @ 4В, 1МГц
- 16,84 пФ @ 6,5 В, 1 МГц
- 17пФ @ 4В, 1МГц
- 18,55пФ @ 8В, 1МГц
- 19,75пФ @ 8В, 1МГц
- 19,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 19пФ @ 20В, 1МГц
- 1пФ @ 4В, 1МГц
- 2,05 пФ при 4 В, 1 МГц
- 2,11пФ @ 4В, 50МГц
- 2,15пФ @ 4В, 1МГц
- 2,18пФ @ 25В, 1МГц
- 2,1пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,22пФ @ 28В, 1МГц
- 2,25пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3 пФ @ 25 В, 1 МГц
- 2,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3пФ @ 20В, 1МГц
- 2,3пФ @ 28В, 1МГц
- 2,4 пФ при 8 В, 1 МГц
- 2,4пФ @ 20В, 1МГц
- 2,4пФ @ 25В, 1МГц
- 2,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 2,55пФ @ 4В, 1МГц
- 2,5пФ @ 4В, 1МГц
- 2,754 пФ @ 28 В, 1 МГц
- 2,75пФ @ 28В, 1МГц
- 2,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2,8 пФ @ 4,7 В, 1 МГц
- 2,89пФ @ 28В, 1МГц
- 2,8пФ @ 4,7В, 50МГц
- 2,92пФ @ 25В, 1МГц
- 2,95пФ @ 4В, 1МГц
- 2,9пФ @ 2,5В, 1МГц
- 2,9пФ @ 28В, 1МГц
- 2.13pF @ 10V, 1MHz
- 2.225pF @ 28V, 1MHz
- 21,2пФ @ 1В, 1МГц
- 22,7пФ @ 8В, 1МГц
- 22пФ @ 4В, 1МГц
- 24,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 24,2пФ @ 4В, 1МГц
- 25пФ @ 3В, 1МГц
- 26,3пФ @ 8В, 1МГц
- 26пФ @ 0В, 1МГц
- 28,2пФ @ 8В, 1МГц
- 29,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 50МГц
- 3,1 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 3,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,3пФ @ 28В, 1МГц
- 3,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 3,7пФ @ 4В, 1МГц
- 3,8 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 3,9пФ @ 4В, 1МГц
- 3.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 32пФ @ 3В, 1МГц
- 36,3 пФ при 4 В, 1 МГц
- 36,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3пФ @ 4В, 1МГц
- 4,7пФ @ 4В, 1МГц
- 4.2пФ @ 0В, 1МГц
- 4.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 42пФ @ 3В, 1МГц
- 47,5пФ @ 2В, 1МГц
- 48,1пФ @ 2В, 1МГц
- 5,3пФ @ 6В, 50МГц
- 5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц
- 5,4пФ @ 1В, 1МГц
- 5,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,5 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 5,5 пФ при 8 В, 1 МГц
- 5,5пФ @ 4В, 1МГц
- 5,5пФ @ 4В, 50МГц
- 5,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,8 пФ @ 4,7 В, 50 МГц
- 51,7 пФ при 4 В, 1 МГц
- 6,1пФ @ 2В, 1МГц
- 6,2 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 6,5пФ @ 10В, 1МГц
- 6,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 6,8пФ @ 20В, 1МГц
- 6,8пФ @ 4В, 1МГц
- 6пФ @ 25В, 1МГц
- 7,48 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 7,5пФ @ 4В, 1МГц
- 9,2 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 9,8 пФ @ 2,5 В, 1 МГц
Отношение емкостей
- -
- 0,25
- 1,8
- 1,9
- 1.3
- 1.55
- 1.71
- 1.75
- 1.76
- 1.8
- 1.85
- 1.9
- 10
- 10.2
- 10.8
- 10.9
- 11
- 11,5
- 11.1
- 11.3
- 11.5
- 12
- 12.1
- 12.2
- 12.3
- 12.4
- 12.6
- 12.7
- 13
- 13.1
- 14
- 14.7
- 15
- 15.3
- 16
- 16.4
- 16.6
- 17
- 17.5
- 17.8
- 19.5
- 2
- 2,8
- 2.1
- 2.2
- 2.25
- 2.3
- 2.35
- 2.4
- 2.42
- 2.45
- 2.5
- 2.6
- 2.7
- 2.8
- 20.9
- 22
- 23.2
- 24.5
- 25
- 3
- 3,46
- 3,5
- 3,9
- 3.1
- 3.2
- 3.3
- 3.37
- 3.4
- 3.5
- 3.6
- 3.7
- 3.8
- 3.9
- 4
- 4,5
- 4,9
- 4.1
- 4.2
- 4.3
- 4.45
- 4.5
- 4.6
- 4.7
- 4.8
- 5
- 5,5
- 5,6
- 5,7
- 5.1
- 5.2
- 5.3
- 5.4
- 5.41
- 5.5
- 5.6
- 5.8
- 5.9
- 6
- 6,5
- 6.1
- 6.3
- 6.4
- 6.5
- 6.6
- 7
- 7,5
- 7,8
- 7.4
- 7.7
- 8
- 8,5
- 8,7
- 8,9
- 8.1
- 8.2
- 8.3
- 8.9
- 9
- 9,5
- 9.1
- 9.4
- 9.5
- 9.6
- 9.8
- 9.9
Условие для соотношения емкостей
- -
- C0.1/C4
- C0.2/C2.3
- C0.3/C4.7
- C0.5/C2
- C0.5/C2.5
- C0.5/C28
- C0/C15
- C0/C20
- C0/C30
- C0/C45
- C0/C60
- C1/C10
- C1/C20
- C1/C25
- C1/C26
- C1/C28
- C1/C3
- C1/C4
- C1/C4.5
- C1/C5
- C1/C6
- C1/C6.5
- C1/C7
- C1/C7.5
- C1/C8
- C1/C9
- C11/C1
- C2/C10
- C2/C12
- C2/C20
- C2/C25
- C2/C30
- C2/C8
- C3/C20
- C3/C25
- C3/C30
- C3/C8
- C4/C20
- C4/C30
- C4/C6
- С0,5/С3
- С0,5/С4
- С0.3/С4.7
- С0/С20
- С0/С30
- С1/С4
- С1/С6
- С1/С7.5
- С1/С8
- С2/20
- С2/С12
- С2/С20
Максимальное пиковое обратное напряжение
- -
- 10 V
- 10 В
- 12 V
- 12 В
- 13 V
- 14 V
- 15 V
- 15 В
- 16 V
- 18 V
- 18 В
- 20 V
- 20 В
- 22 V
- 22 В
- 24 V
- 25 V
- 26 V
- 27 V
- 28 V
- 29 V
- 30 V
- 30 В
- 32 V
- 33 V
- 40 V
- 45 V
- 50 V
- 6 V
- 60 V
- 60 В
- 7 V
- 75 В
Тип диода
- -
- 1 пара общий анод
- 1 пара Общий катод
- 1 пара с общим катодом
- Single
- Одинокий
Q при обратном напряжении, частота
- -
- 100 @ 3 В, 100 МГц
- 1000 @ 4 В, 50 МГц
- 110 @ 4 В, 50 МГц
- 1100 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 при 4 В, 1 МГц
- 125 @ 4 В, 50 МГц
- 130 @ 2 В, 10 МГц
- 1300 @ 4 В, 50 МГц
- 1300 при 4 В, 1 МГц
- 140 @ 2 В, 10 МГц
- 140 @ 3 В, 100 МГц
- 1400 @ 4 В, 50 МГц
- 150 @ 2 В, 100 МГц
- 150 @ 3 В, 50 МГц
- 150 при 4 В, 50 МГц
- 1500 @ 3 В, 50 МГц
- 1500 @ 4 В, 50 МГц
- 1500 при 4 В, 1 МГц
- 1500 при 4 В, 50 МГц
- 160 @ 3 В, 50 МГц
- 160 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 при 4 В, 1 МГц
- 165 @ 4 В, 50 МГц
- 1680 @ 4 В, 50 МГц
- 1700 @ 4 В, 50 МГц
- 175 при 4 В, 50 МГц
- 1800 @ 4 В, 50 МГц
- 1800 при 4 В, 50 МГц
- 1900 @ 4 В, 50 МГц
- 200 @ 1 В, 1 МГц
- 200 @ 2 В, 100 МГц
- 200 @ 3 В, 50 МГц
- 200 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4В, 1МГц
- 2000 @ 4В, 50МГц
- 220 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 при 4 В, 1 МГц
- 2400 @ 4 В, 50 МГц
- 250 @ 2 В, 50 МГц
- 250 @ 3 В, 50 МГц
- 250 при 4 В, 50 МГц
- 2500 @ 4 В, 50 МГц
- 2500 при 4 В, 50 МГц
- 2600 @ 4 В, 50 МГц
- 2700 при 4 В, 50 МГц
- 2800 @ 4 В, 50 МГц
- 2900 @ 4 В, 50 МГц
- 300 @ 3 В, 50 МГц
- 300 @ 4 В, 50 МГц
- 300 при 4 В, 50 МГц
- 3000 @ 4 В, 50 МГц
- 3000 при 4 В, 1 МГц
- 3000 при 4 В, 50 МГц
- 3100 @ 4 В, 50 МГц
- 3200 @ 4 В, 50 МГц
- 3300 @ 4 В, 50 МГц
- 350 @ 3 В, 50 МГц
- 350 @ 4 В, 50 МГц
- 350 при 2 В, 50 МГц
- 350 при 4 В, 50 МГц
- 3500 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 при 4 В, 50 МГц
- 3800 @ 4 В, 50 МГц
- 3900 @ 4 В, 50 МГц
- 400 @ 3 В, 50 МГц
- 400 @ 4 В, 50 МГц
- 400 при 2 В, 50 МГц
- 400 при 3 В, 50 МГц
- 4000 @ 4 В, 50 МГц
- 4000 при 4 В, 50 МГц
- 415 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 4 В, 50 МГц
- 450 при 2 В, 50 МГц
- 450 при 4 В, 50 МГц
- 4500 при 4 В, 1 МГц
- 4500 при 4 В, 50 МГц
- 50 @ 2 В, 10 МГц
- 500 @ 4 В, 50 МГц
- 5000 @ 4 В, 50 МГц
- 60 @ 3 В, 100 МГц
- 600 @ 25 В, 200 МГц
- 600 @ 3 В, 50 МГц
- 600 @ 4 В, 50 МГц
- 600 при 3 В, 50 МГц
- 6000 @ 4 В, 50 МГц
- 6300 при 4 В, 50 МГц
- 6500 при 4 В, 50 МГц
- 70 @ 3 В, 100 МГц
- 700 @ 3 В, 50 МГц
- 700 @ 4 В, 50 МГц
- 7000 @ 4 В, 50 МГц
- 75 @ 3 В, 500 МГц
- 750 @ 4 В, 50 МГц
- 750 при 4 В, 1 МГц
- 750 при 4 В, 50 МГц
- 7500 @ 4 В, 50 МГц
- 80 @ 4 В, 50 МГц
- 80 при 4 В, 50 МГц
- 800 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 при 4 В, 50 МГц
- 850 @ 4 В, 50 МГц
- 900 @ 4 В, 50 МГц
Тип крепления
- -
- Крепление на шпильке
- Крепление шпильки
- Поверхностный монтаж
- Сквозное отверстие
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)

HVD396CKRF-E
Renesas
HVD396 - VARIABLE CAPACITANCE DI

HVD355BKRF-E
Renesas
HVD355 - VARIABLE CAPACITANCE DI

MV2105RLRA
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

MMVL105GT1G
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

MMVL105GT1
onsemi
DIODE VAR CAP SINGLE 30V

MMVL535T1
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

MV1403
onsemi
DIODE VAR CAP SINGLE 12V

MV2108
onsemi
DIODE VAR CAP SINGLE 30V 27PF 2-

MV2111
onsemi
DIODE VAR CAP SINGLE 30V 42.3PF

SVC220A-TB-E
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 8V

SVC220-PM-TB-E
onsemi
VARIABLE-CAPACITANCE DIODE (IOCA

SVC220-TB-E
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 8V

SVC203SPA
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

EC2C01C-TR
onsemi
DIODE VAR CAP SINGLE 15V 18.5PF

SVC272-TL-EX
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 8V

SVC720-TL-E
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 4V

SVC251SPA
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SVC212-3-MTK-TB-E
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 8V

SVC348S-AL
onsemi
AM VARICAP TWIN VR 8V

SVC325-TL-E
onsemi
VARICAP DIODE VR 8V

SVC201SPA
onsemi
SILICON VARACTOR DIODE

SVC388T-AL
onsemi
AM VARICAP TWIN VR 8V

MV2109RLRA
onsemi
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SVC211SPA-C-AL
onsemi
FM VARICAP TWIN VR 8V

SVC386T-AL
onsemi
SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE C