Производитель
- Infineon Technologies
- MACOM Technology Solutions
- Microchip Technology
- Microsemi Corporation
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas
- Renesas Electronics America Inc.
- Skyworks Solutions Inc.
Модельный ряд
- *
- -
- GC15000
- GCX1202
- GCX1204
- GCX1206
- GCX1208
- GCX1209
- GCX1211
- MA464xx
- MA46603
- MA4ST1200
- MPV
- SMV1231
- SMV1237
- SMV1245
- SMV1249
- SMV1413
- SMV1494
- SMV2019
- SMV2020
- SMV2022
- SMV2023
- ГИГАМИТ®
- МА46
- МАВР-000400
- МАВР-0454xx
- МГВ
- МСВ34000
Пакет
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Лоток
- Масса
- Насыпной
- Поднос
- Разрезанная лента (CT)
- Сумка
Статус части
- Активный
- Не для новых дизайнов
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Прекращено в
- Производство прекращено в
- Снято с производства в
- Устаревший
Емкость при Vr, F
- -
- 0,05 пФ при 15 В, 1 МГц
- 0,2 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 0,27 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,2пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35пФ @ 20В, 1МГц
- 0,35пФ @ 8В, 1МГц
- 0,3пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3пФ @ 4В, 1МГц
- 0,42 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 0,45 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,4пФ @ 20В, 1МГц
- 0,4пФ @ 4В, 1МГц
- 0,4пФ @ 6В, 1МГц
- 0,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,5 пФ при 6 В, 1 МГц
- 0,51 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,52пФ @ 28В, 1МГц
- 0,55 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,55пФ @ 20В, 1МГц
- 0,5пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,61пФ @ 6В, 500МГц
- 0,61пФ @ 6В, 50МГц
- 0,6пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6пФ @ 6В, 1МГц
- 0,7 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,75пФ @ 26В, 1МГц
- 0,75пФ @ 30В, 1МГц
- 0,76пФ @ 25В, 1МГц
- 0,77 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,78пФ @ 4,7В, 50МГц
- 0,7пФ @ 20В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 50МГц
- 0,83пФ @ 26В, 1МГц
- 0,8пФ @ 4В, 1МГц
- 0,8пФ @ 6В, 1МГц
- 0,94 пФ при 6 В, 500 МГц
- 0,94пФ @ 6В, 500МГц
- 0,94пФ @ 6В, 50МГц
- 0,9пФ @ 20В, 1МГц
- 0,9пФ @ 28В, 1МГц
- 0.14pF @ 20V, 1MHz
- 0.25pF @ 20V, 1MHz
- 0.34pF @ 20V, 50MHz
- 0.43pF @ 20V, 50MHz
- 0.4pF @ 0V, 1MHz
- 1,055пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,05пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,08пФ @ 20В, 1МГц
- 1,1 пФ @ 0 В, 1 МГц
- 1,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,17 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,1пФ @ 6В, 50МГц
- 1,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,2 пФ при 6 В, 1 МГц
- 1,25 пФ @ 18 В, 1 МГц
- 1,2пФ @ 28В, 1МГц
- 1,2пФ @ 4В, 1МГц
- 1,32 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,3пФ @ 20В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 50МГц
- 1,5 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,5пФ @ 3В, 1МГц
- 1,5пФ @ 4В, 1МГц
- 1,7пФ @ 4,7В, 50МГц
- 1,8 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 1,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,81пФ @ 4В, 1МГц
- 1,8пФ @ 4В, 1МГц
- 1,98 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,9пФ @ 6В, 50МГц
- 1.1pF @ 20V, 1MHz
- 10,6 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 10,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 10пФ @ 20В, 1МГц
- 10пФ @ 4В, 1МГц
- 11,2 пФ при 2,3 В, 1 МГц
- 11,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 11пФ @ 4В, 1МГц
- 12,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 12,5пФ @ 2,5В, 1МГц
- 120пФ @ 4В, 1МГц
- 12пФ @ 4В, 50МГц
- 13,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 13,4 пФ @ 9 В, 1 МГц
- 13,5 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 13,8пФ @ 2В, 1МГц
- 13пФ @ 8В, 1МГц
- 14,4 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 14,5 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 14,8 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 16,2 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 16,2 пФ при 1 В, 1 МГц
- 16,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 16,5пФ @ 4В, 1МГц
- 16,84 пФ @ 6,5 В, 1 МГц
- 17пФ @ 4В, 1МГц
- 18,55пФ @ 8В, 1МГц
- 19,75пФ @ 8В, 1МГц
- 19,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 19пФ @ 20В, 1МГц
- 1пФ @ 4В, 1МГц
- 2,05 пФ при 4 В, 1 МГц
- 2,11пФ @ 4В, 50МГц
- 2,15пФ @ 4В, 1МГц
- 2,18пФ @ 25В, 1МГц
- 2,1пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,22пФ @ 28В, 1МГц
- 2,25пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3 пФ @ 25 В, 1 МГц
- 2,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3пФ @ 20В, 1МГц
- 2,3пФ @ 28В, 1МГц
- 2,4 пФ при 8 В, 1 МГц
- 2,4пФ @ 20В, 1МГц
- 2,4пФ @ 25В, 1МГц
- 2,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 2,55пФ @ 4В, 1МГц
- 2,5пФ @ 4В, 1МГц
- 2,754 пФ @ 28 В, 1 МГц
- 2,75пФ @ 28В, 1МГц
- 2,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2,8 пФ @ 4,7 В, 1 МГц
- 2,89пФ @ 28В, 1МГц
- 2,8пФ @ 4,7В, 50МГц
- 2,92пФ @ 25В, 1МГц
- 2,95пФ @ 4В, 1МГц
- 2,9пФ @ 2,5В, 1МГц
- 2,9пФ @ 28В, 1МГц
- 2.13pF @ 10V, 1MHz
- 2.225pF @ 28V, 1MHz
- 21,2пФ @ 1В, 1МГц
- 22,7пФ @ 8В, 1МГц
- 22пФ @ 4В, 1МГц
- 24,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 24,2пФ @ 4В, 1МГц
- 25пФ @ 3В, 1МГц
- 26,3пФ @ 8В, 1МГц
- 26пФ @ 0В, 1МГц
- 28,2пФ @ 8В, 1МГц
- 29,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 50МГц
- 3,1 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 3,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,3пФ @ 28В, 1МГц
- 3,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 3,7пФ @ 4В, 1МГц
- 3,8 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 3,9пФ @ 4В, 1МГц
- 3.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 32пФ @ 3В, 1МГц
- 36,3 пФ при 4 В, 1 МГц
- 36,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3пФ @ 4В, 1МГц
- 4,7пФ @ 4В, 1МГц
- 4.2пФ @ 0В, 1МГц
- 4.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 42пФ @ 3В, 1МГц
- 47,5пФ @ 2В, 1МГц
- 48,1пФ @ 2В, 1МГц
- 5,3пФ @ 6В, 50МГц
- 5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц
- 5,4пФ @ 1В, 1МГц
- 5,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,5 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 5,5 пФ при 8 В, 1 МГц
- 5,5пФ @ 4В, 1МГц
- 5,5пФ @ 4В, 50МГц
- 5,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,8 пФ @ 4,7 В, 50 МГц
- 51,7 пФ при 4 В, 1 МГц
- 6,1пФ @ 2В, 1МГц
- 6,2 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 6,5пФ @ 10В, 1МГц
- 6,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 6,8пФ @ 20В, 1МГц
- 6,8пФ @ 4В, 1МГц
- 6пФ @ 25В, 1МГц
- 7,48 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 7,5пФ @ 4В, 1МГц
- 9,2 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 9,8 пФ @ 2,5 В, 1 МГц
Отношение емкостей
- -
- 0,25
- 1,8
- 1,9
- 1.3
- 1.55
- 1.71
- 1.75
- 1.76
- 1.8
- 1.85
- 1.9
- 10
- 10.2
- 10.8
- 10.9
- 11
- 11,5
- 11.1
- 11.3
- 11.5
- 12
- 12.1
- 12.2
- 12.3
- 12.4
- 12.6
- 12.7
- 13
- 13.1
- 14
- 14.7
- 15
- 15.3
- 16
- 16.4
- 16.6
- 17
- 17.5
- 17.8
- 19.5
- 2
- 2,8
- 2.1
- 2.2
- 2.25
- 2.3
- 2.35
- 2.4
- 2.42
- 2.45
- 2.5
- 2.6
- 2.7
- 2.8
- 20.9
- 22
- 23.2
- 24.5
- 25
- 3
- 3,46
- 3,5
- 3,9
- 3.1
- 3.2
- 3.3
- 3.37
- 3.4
- 3.5
- 3.6
- 3.7
- 3.8
- 3.9
- 4
- 4,5
- 4,9
- 4.1
- 4.2
- 4.3
- 4.45
- 4.5
- 4.6
- 4.7
- 4.8
- 5
- 5,5
- 5,6
- 5,7
- 5.1
- 5.2
- 5.3
- 5.4
- 5.41
- 5.5
- 5.6
- 5.8
- 5.9
- 6
- 6,5
- 6.1
- 6.3
- 6.4
- 6.5
- 6.6
- 7
- 7,5
- 7,8
- 7.4
- 7.7
- 8
- 8,5
- 8,7
- 8,9
- 8.1
- 8.2
- 8.3
- 8.9
- 9
- 9,5
- 9.1
- 9.4
- 9.5
- 9.6
- 9.8
- 9.9
Условие для соотношения емкостей
- -
- C0.1/C4
- C0.2/C2.3
- C0.3/C4.7
- C0.5/C2
- C0.5/C2.5
- C0.5/C28
- C0/C15
- C0/C20
- C0/C30
- C0/C45
- C0/C60
- C1/C10
- C1/C20
- C1/C25
- C1/C26
- C1/C28
- C1/C3
- C1/C4
- C1/C4.5
- C1/C5
- C1/C6
- C1/C6.5
- C1/C7
- C1/C7.5
- C1/C8
- C1/C9
- C11/C1
- C2/C10
- C2/C12
- C2/C20
- C2/C25
- C2/C30
- C2/C8
- C3/C20
- C3/C25
- C3/C30
- C3/C8
- C4/C20
- C4/C30
- C4/C6
- С0,5/С3
- С0,5/С4
- С0.3/С4.7
- С0/С20
- С0/С30
- С1/С4
- С1/С6
- С1/С7.5
- С1/С8
- С2/20
- С2/С12
- С2/С20
Максимальное пиковое обратное напряжение
- -
- 10 V
- 10 В
- 12 V
- 12 В
- 13 V
- 14 V
- 15 V
- 15 В
- 16 V
- 18 V
- 18 В
- 20 V
- 20 В
- 22 V
- 22 В
- 24 V
- 25 V
- 26 V
- 27 V
- 28 V
- 29 V
- 30 V
- 30 В
- 32 V
- 33 V
- 40 V
- 45 V
- 50 V
- 6 V
- 60 V
- 60 В
- 7 V
- 75 В
Тип диода
- -
- 1 пара общий анод
- 1 пара Общий катод
- 1 пара с общим катодом
- Single
- Одинокий
Q при обратном напряжении, частота
- -
- 100 @ 3 В, 100 МГц
- 1000 @ 4 В, 50 МГц
- 110 @ 4 В, 50 МГц
- 1100 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 при 4 В, 1 МГц
- 125 @ 4 В, 50 МГц
- 130 @ 2 В, 10 МГц
- 1300 @ 4 В, 50 МГц
- 1300 при 4 В, 1 МГц
- 140 @ 2 В, 10 МГц
- 140 @ 3 В, 100 МГц
- 1400 @ 4 В, 50 МГц
- 150 @ 2 В, 100 МГц
- 150 @ 3 В, 50 МГц
- 150 при 4 В, 50 МГц
- 1500 @ 3 В, 50 МГц
- 1500 @ 4 В, 50 МГц
- 1500 при 4 В, 1 МГц
- 1500 при 4 В, 50 МГц
- 160 @ 3 В, 50 МГц
- 160 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 при 4 В, 1 МГц
- 165 @ 4 В, 50 МГц
- 1680 @ 4 В, 50 МГц
- 1700 @ 4 В, 50 МГц
- 175 при 4 В, 50 МГц
- 1800 @ 4 В, 50 МГц
- 1800 при 4 В, 50 МГц
- 1900 @ 4 В, 50 МГц
- 200 @ 1 В, 1 МГц
- 200 @ 2 В, 100 МГц
- 200 @ 3 В, 50 МГц
- 200 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4В, 1МГц
- 2000 @ 4В, 50МГц
- 220 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 при 4 В, 1 МГц
- 2400 @ 4 В, 50 МГц
- 250 @ 2 В, 50 МГц
- 250 @ 3 В, 50 МГц
- 250 при 4 В, 50 МГц
- 2500 @ 4 В, 50 МГц
- 2500 при 4 В, 50 МГц
- 2600 @ 4 В, 50 МГц
- 2700 при 4 В, 50 МГц
- 2800 @ 4 В, 50 МГц
- 2900 @ 4 В, 50 МГц
- 300 @ 3 В, 50 МГц
- 300 @ 4 В, 50 МГц
- 300 при 4 В, 50 МГц
- 3000 @ 4 В, 50 МГц
- 3000 при 4 В, 1 МГц
- 3000 при 4 В, 50 МГц
- 3100 @ 4 В, 50 МГц
- 3200 @ 4 В, 50 МГц
- 3300 @ 4 В, 50 МГц
- 350 @ 3 В, 50 МГц
- 350 @ 4 В, 50 МГц
- 350 при 2 В, 50 МГц
- 350 при 4 В, 50 МГц
- 3500 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 при 4 В, 50 МГц
- 3800 @ 4 В, 50 МГц
- 3900 @ 4 В, 50 МГц
- 400 @ 3 В, 50 МГц
- 400 @ 4 В, 50 МГц
- 400 при 2 В, 50 МГц
- 400 при 3 В, 50 МГц
- 4000 @ 4 В, 50 МГц
- 4000 при 4 В, 50 МГц
- 415 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 4 В, 50 МГц
- 450 при 2 В, 50 МГц
- 450 при 4 В, 50 МГц
- 4500 при 4 В, 1 МГц
- 4500 при 4 В, 50 МГц
- 50 @ 2 В, 10 МГц
- 500 @ 4 В, 50 МГц
- 5000 @ 4 В, 50 МГц
- 60 @ 3 В, 100 МГц
- 600 @ 25 В, 200 МГц
- 600 @ 3 В, 50 МГц
- 600 @ 4 В, 50 МГц
- 600 при 3 В, 50 МГц
- 6000 @ 4 В, 50 МГц
- 6300 при 4 В, 50 МГц
- 6500 при 4 В, 50 МГц
- 70 @ 3 В, 100 МГц
- 700 @ 3 В, 50 МГц
- 700 @ 4 В, 50 МГц
- 7000 @ 4 В, 50 МГц
- 75 @ 3 В, 500 МГц
- 750 @ 4 В, 50 МГц
- 750 при 4 В, 1 МГц
- 750 при 4 В, 50 МГц
- 7500 @ 4 В, 50 МГц
- 80 @ 4 В, 50 МГц
- 80 при 4 В, 50 МГц
- 800 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 при 4 В, 50 МГц
- 850 @ 4 В, 50 МГц
- 900 @ 4 В, 50 МГц
Тип крепления
- -
- Крепление на шпильке
- Крепление шпильки
- Поверхностный монтаж
- Сквозное отверстие
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)

BBY5802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 10V 20MA SC79

BBY6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 15V 50MA SC79

BBY5702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 10V 20MA SC79

BBY5502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 16V SGL SC79-2

BBY5602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 2SC79

BBY6602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 12V 50MA SC79

BBY5302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 6V 20MA SC79

BBY5303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 6V SGL SOD323-2

BBY5503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 16V 20MA SOD-323

BB 664 H7902
Infineon Technologies
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY5802LE6327
Infineon Technologies
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY5806WE6327
Infineon Technologies
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY5305WE6327
Infineon Technologies
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY53-03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE TUNING 6V 20MA SOD-323

BBY55-03WE6327
Infineon Technologies
BBY55 - VARACTOR DIODE

BBY53-03WE6327
Infineon Technologies
BBY53 - VARACTOR DIODE

BBY6605WE6327
Infineon Technologies
VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY 57-02V E6327
Infineon Technologies
VARACTOR DIODE 17.5PF 10V 20MA

BB 545 E7908
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

BB 555-02V E7902
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79

BB 555 E7902
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80

BB 555 E7908
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80

BB 565-02V E7902
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79

BB 565 E7902
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80

BB 565 E7908
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80