Номер детали:
Производитель
- Infineon Technologies
- MACOM Technology Solutions
- Microchip Technology
- Microsemi Corporation
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas
- Renesas Electronics America Inc.
- Skyworks Solutions Inc.
Модельный ряд
- *
- -
- GC15000
- GCX1202
- GCX1204
- GCX1206
- GCX1208
- GCX1209
- GCX1211
- MA464xx
- MA46603
- MA4ST1200
- MPV
- SMV1231
- SMV1237
- SMV1245
- SMV1249
- SMV1413
- SMV1494
- SMV2019
- SMV2020
- SMV2022
- SMV2023
- ГИГАМИТ®
- МА46
- МАВР-000400
- МАВР-0454xx
- МГВ
- МСВ34000
Пакет
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Лоток
- Масса
- Насыпной
- Поднос
- Разрезанная лента (CT)
- Сумка
Статус части
- Активный
- Не для новых дизайнов
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Прекращено в
- Производство прекращено в
- Снято с производства в
- Устаревший
Емкость при Vr, F
- -
- 0,05 пФ при 15 В, 1 МГц
- 0,2 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 0,27 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,2пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35пФ @ 20В, 1МГц
- 0,35пФ @ 8В, 1МГц
- 0,3пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3пФ @ 4В, 1МГц
- 0,42 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 0,45 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,4пФ @ 20В, 1МГц
- 0,4пФ @ 4В, 1МГц
- 0,4пФ @ 6В, 1МГц
- 0,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,5 пФ при 6 В, 1 МГц
- 0,51 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,52пФ @ 28В, 1МГц
- 0,55 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,55пФ @ 20В, 1МГц
- 0,5пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,61пФ @ 6В, 500МГц
- 0,61пФ @ 6В, 50МГц
- 0,6пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6пФ @ 6В, 1МГц
- 0,7 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,75пФ @ 26В, 1МГц
- 0,75пФ @ 30В, 1МГц
- 0,76пФ @ 25В, 1МГц
- 0,77 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,78пФ @ 4,7В, 50МГц
- 0,7пФ @ 20В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 50МГц
- 0,83пФ @ 26В, 1МГц
- 0,8пФ @ 4В, 1МГц
- 0,8пФ @ 6В, 1МГц
- 0,94 пФ при 6 В, 500 МГц
- 0,94пФ @ 6В, 500МГц
- 0,94пФ @ 6В, 50МГц
- 0,9пФ @ 20В, 1МГц
- 0,9пФ @ 28В, 1МГц
- 0.14pF @ 20V, 1MHz
- 0.25pF @ 20V, 1MHz
- 0.34pF @ 20V, 50MHz
- 0.43pF @ 20V, 50MHz
- 0.4pF @ 0V, 1MHz
- 1,055пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,05пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,08пФ @ 20В, 1МГц
- 1,1 пФ @ 0 В, 1 МГц
- 1,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,17 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,1пФ @ 6В, 50МГц
- 1,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,2 пФ при 6 В, 1 МГц
- 1,25 пФ @ 18 В, 1 МГц
- 1,2пФ @ 28В, 1МГц
- 1,2пФ @ 4В, 1МГц
- 1,32 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,3пФ @ 20В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 50МГц
- 1,5 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,5пФ @ 3В, 1МГц
- 1,5пФ @ 4В, 1МГц
- 1,7пФ @ 4,7В, 50МГц
- 1,8 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 1,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,81пФ @ 4В, 1МГц
- 1,8пФ @ 4В, 1МГц
- 1,98 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,9пФ @ 6В, 50МГц
- 1.1pF @ 20V, 1MHz
- 10,6 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 10,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 10пФ @ 20В, 1МГц
- 10пФ @ 4В, 1МГц
- 11,2 пФ при 2,3 В, 1 МГц
- 11,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 11пФ @ 4В, 1МГц
- 12,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 12,5пФ @ 2,5В, 1МГц
- 120пФ @ 4В, 1МГц
- 12пФ @ 4В, 50МГц
- 13,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 13,4 пФ @ 9 В, 1 МГц
- 13,5 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 13,8пФ @ 2В, 1МГц
- 13пФ @ 8В, 1МГц
- 14,4 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 14,5 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 14,8 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 16,2 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 16,2 пФ при 1 В, 1 МГц
- 16,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 16,5пФ @ 4В, 1МГц
- 16,84 пФ @ 6,5 В, 1 МГц
- 17пФ @ 4В, 1МГц
- 18,55пФ @ 8В, 1МГц
- 19,75пФ @ 8В, 1МГц
- 19,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 19пФ @ 20В, 1МГц
- 1пФ @ 4В, 1МГц
- 2,05 пФ при 4 В, 1 МГц
- 2,11пФ @ 4В, 50МГц
- 2,15пФ @ 4В, 1МГц
- 2,18пФ @ 25В, 1МГц
- 2,1пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,22пФ @ 28В, 1МГц
- 2,25пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3 пФ @ 25 В, 1 МГц
- 2,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3пФ @ 20В, 1МГц
- 2,3пФ @ 28В, 1МГц
- 2,4 пФ при 8 В, 1 МГц
- 2,4пФ @ 20В, 1МГц
- 2,4пФ @ 25В, 1МГц
- 2,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 2,55пФ @ 4В, 1МГц
- 2,5пФ @ 4В, 1МГц
- 2,754 пФ @ 28 В, 1 МГц
- 2,75пФ @ 28В, 1МГц
- 2,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2,8 пФ @ 4,7 В, 1 МГц
- 2,89пФ @ 28В, 1МГц
- 2,8пФ @ 4,7В, 50МГц
- 2,92пФ @ 25В, 1МГц
- 2,95пФ @ 4В, 1МГц
- 2,9пФ @ 2,5В, 1МГц
- 2,9пФ @ 28В, 1МГц
- 2.13pF @ 10V, 1MHz
- 2.225pF @ 28V, 1MHz
- 21,2пФ @ 1В, 1МГц
- 22,7пФ @ 8В, 1МГц
- 22пФ @ 4В, 1МГц
- 24,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 24,2пФ @ 4В, 1МГц
- 25пФ @ 3В, 1МГц
- 26,3пФ @ 8В, 1МГц
- 26пФ @ 0В, 1МГц
- 28,2пФ @ 8В, 1МГц
- 29,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 50МГц
- 3,1 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 3,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,3пФ @ 28В, 1МГц
- 3,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 3,7пФ @ 4В, 1МГц
- 3,8 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 3,9пФ @ 4В, 1МГц
- 3.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 32пФ @ 3В, 1МГц
- 36,3 пФ при 4 В, 1 МГц
- 36,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3пФ @ 4В, 1МГц
- 4,7пФ @ 4В, 1МГц
- 4.2пФ @ 0В, 1МГц
- 4.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 42пФ @ 3В, 1МГц
- 47,5пФ @ 2В, 1МГц
- 48,1пФ @ 2В, 1МГц
- 5,3пФ @ 6В, 50МГц
- 5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц
- 5,4пФ @ 1В, 1МГц
- 5,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,5 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 5,5 пФ при 8 В, 1 МГц
- 5,5пФ @ 4В, 1МГц
- 5,5пФ @ 4В, 50МГц
- 5,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,8 пФ @ 4,7 В, 50 МГц
- 51,7 пФ при 4 В, 1 МГц
- 6,1пФ @ 2В, 1МГц
- 6,2 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 6,5пФ @ 10В, 1МГц
- 6,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 6,8пФ @ 20В, 1МГц
- 6,8пФ @ 4В, 1МГц
- 6пФ @ 25В, 1МГц
- 7,48 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 7,5пФ @ 4В, 1МГц
- 9,2 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 9,8 пФ @ 2,5 В, 1 МГц
Отношение емкостей
- -
- 0,25
- 1,8
- 1,9
- 1.3
- 1.55
- 1.71
- 1.75
- 1.76
- 1.8
- 1.85
- 1.9
- 10
- 10.2
- 10.8
- 10.9
- 11
- 11,5
- 11.1
- 11.3
- 11.5
- 12
- 12.1
- 12.2
- 12.3
- 12.4
- 12.6
- 12.7
- 13
- 13.1
- 14
- 14.7
- 15
- 15.3
- 16
- 16.4
- 16.6
- 17
- 17.5
- 17.8
- 19.5
- 2
- 2,8
- 2.1
- 2.2
- 2.25
- 2.3
- 2.35
- 2.4
- 2.42
- 2.45
- 2.5
- 2.6
- 2.7
- 2.8
- 20.9
- 22
- 23.2
- 24.5
- 25
- 3
- 3,46
- 3,5
- 3,9
- 3.1
- 3.2
- 3.3
- 3.37
- 3.4
- 3.5
- 3.6
- 3.7
- 3.8
- 3.9
- 4
- 4,5
- 4,9
- 4.1
- 4.2
- 4.3
- 4.45
- 4.5
- 4.6
- 4.7
- 4.8
- 5
- 5,5
- 5,6
- 5,7
- 5.1
- 5.2
- 5.3
- 5.4
- 5.41
- 5.5
- 5.6
- 5.8
- 5.9
- 6
- 6,5
- 6.1
- 6.3
- 6.4
- 6.5
- 6.6
- 7
- 7,5
- 7,8
- 7.4
- 7.7
- 8
- 8,5
- 8,7
- 8,9
- 8.1
- 8.2
- 8.3
- 8.9
- 9
- 9,5
- 9.1
- 9.4
- 9.5
- 9.6
- 9.8
- 9.9
Условие для соотношения емкостей
- -
- C0.1/C4
- C0.2/C2.3
- C0.3/C4.7
- C0.5/C2
- C0.5/C2.5
- C0.5/C28
- C0/C15
- C0/C20
- C0/C30
- C0/C45
- C0/C60
- C1/C10
- C1/C20
- C1/C25
- C1/C26
- C1/C28
- C1/C3
- C1/C4
- C1/C4.5
- C1/C5
- C1/C6
- C1/C6.5
- C1/C7
- C1/C7.5
- C1/C8
- C1/C9
- C11/C1
- C2/C10
- C2/C12
- C2/C20
- C2/C25
- C2/C30
- C2/C8
- C3/C20
- C3/C25
- C3/C30
- C3/C8
- C4/C20
- C4/C30
- C4/C6
- С0,5/С3
- С0,5/С4
- С0.3/С4.7
- С0/С20
- С0/С30
- С1/С4
- С1/С6
- С1/С7.5
- С1/С8
- С2/20
- С2/С12
- С2/С20
Максимальное пиковое обратное напряжение
- -
- 10 V
- 10 В
- 12 V
- 12 В
- 13 V
- 14 V
- 15 V
- 15 В
- 16 V
- 18 V
- 18 В
- 20 V
- 20 В
- 22 V
- 22 В
- 24 V
- 25 V
- 26 V
- 27 V
- 28 V
- 29 V
- 30 V
- 30 В
- 32 V
- 33 V
- 40 V
- 45 V
- 50 V
- 6 V
- 60 V
- 60 В
- 7 V
- 75 В
Тип диода
- -
- 1 пара общий анод
- 1 пара Общий катод
- 1 пара с общим катодом
- Single
- Одинокий
Q при обратном напряжении, частота
- -
- 100 @ 3 В, 100 МГц
- 1000 @ 4 В, 50 МГц
- 110 @ 4 В, 50 МГц
- 1100 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 при 4 В, 1 МГц
- 125 @ 4 В, 50 МГц
- 130 @ 2 В, 10 МГц
- 1300 @ 4 В, 50 МГц
- 1300 при 4 В, 1 МГц
- 140 @ 2 В, 10 МГц
- 140 @ 3 В, 100 МГц
- 1400 @ 4 В, 50 МГц
- 150 @ 2 В, 100 МГц
- 150 @ 3 В, 50 МГц
- 150 при 4 В, 50 МГц
- 1500 @ 3 В, 50 МГц
- 1500 @ 4 В, 50 МГц
- 1500 при 4 В, 1 МГц
- 1500 при 4 В, 50 МГц
- 160 @ 3 В, 50 МГц
- 160 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 при 4 В, 1 МГц
- 165 @ 4 В, 50 МГц
- 1680 @ 4 В, 50 МГц
- 1700 @ 4 В, 50 МГц
- 175 при 4 В, 50 МГц
- 1800 @ 4 В, 50 МГц
- 1800 при 4 В, 50 МГц
- 1900 @ 4 В, 50 МГц
- 200 @ 1 В, 1 МГц
- 200 @ 2 В, 100 МГц
- 200 @ 3 В, 50 МГц
- 200 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4В, 1МГц
- 2000 @ 4В, 50МГц
- 220 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 при 4 В, 1 МГц
- 2400 @ 4 В, 50 МГц
- 250 @ 2 В, 50 МГц
- 250 @ 3 В, 50 МГц
- 250 при 4 В, 50 МГц
- 2500 @ 4 В, 50 МГц
- 2500 при 4 В, 50 МГц
- 2600 @ 4 В, 50 МГц
- 2700 при 4 В, 50 МГц
- 2800 @ 4 В, 50 МГц
- 2900 @ 4 В, 50 МГц
- 300 @ 3 В, 50 МГц
- 300 @ 4 В, 50 МГц
- 300 при 4 В, 50 МГц
- 3000 @ 4 В, 50 МГц
- 3000 при 4 В, 1 МГц
- 3000 при 4 В, 50 МГц
- 3100 @ 4 В, 50 МГц
- 3200 @ 4 В, 50 МГц
- 3300 @ 4 В, 50 МГц
- 350 @ 3 В, 50 МГц
- 350 @ 4 В, 50 МГц
- 350 при 2 В, 50 МГц
- 350 при 4 В, 50 МГц
- 3500 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 при 4 В, 50 МГц
- 3800 @ 4 В, 50 МГц
- 3900 @ 4 В, 50 МГц
- 400 @ 3 В, 50 МГц
- 400 @ 4 В, 50 МГц
- 400 при 2 В, 50 МГц
- 400 при 3 В, 50 МГц
- 4000 @ 4 В, 50 МГц
- 4000 при 4 В, 50 МГц
- 415 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 4 В, 50 МГц
- 450 при 2 В, 50 МГц
- 450 при 4 В, 50 МГц
- 4500 при 4 В, 1 МГц
- 4500 при 4 В, 50 МГц
- 50 @ 2 В, 10 МГц
- 500 @ 4 В, 50 МГц
- 5000 @ 4 В, 50 МГц
- 60 @ 3 В, 100 МГц
- 600 @ 25 В, 200 МГц
- 600 @ 3 В, 50 МГц
- 600 @ 4 В, 50 МГц
- 600 при 3 В, 50 МГц
- 6000 @ 4 В, 50 МГц
- 6300 при 4 В, 50 МГц
- 6500 при 4 В, 50 МГц
- 70 @ 3 В, 100 МГц
- 700 @ 3 В, 50 МГц
- 700 @ 4 В, 50 МГц
- 7000 @ 4 В, 50 МГц
- 75 @ 3 В, 500 МГц
- 750 @ 4 В, 50 МГц
- 750 при 4 В, 1 МГц
- 750 при 4 В, 50 МГц
- 7500 @ 4 В, 50 МГц
- 80 @ 4 В, 50 МГц
- 80 при 4 В, 50 МГц
- 800 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 при 4 В, 50 МГц
- 850 @ 4 В, 50 МГц
- 900 @ 4 В, 50 МГц
Тип крепления
- -
- Крепление на шпильке
- Крепление шпильки
- Поверхностный монтаж
- Сквозное отверстие
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)

GC2532-150A
Microsemi Corporation
DIODE STEP RECOVERY 30V