Производитель
- Infineon Technologies
- MACOM Technology Solutions
- Microchip Technology
- Microsemi Corporation
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas
- Renesas Electronics America Inc.
- Skyworks Solutions Inc.
Модельный ряд
- *
- -
- GC15000
- GCX1202
- GCX1204
- GCX1206
- GCX1208
- GCX1209
- GCX1211
- MA464xx
- MA46603
- MA4ST1200
- MPV
- SMV1231
- SMV1237
- SMV1245
- SMV1249
- SMV1413
- SMV1494
- SMV2019
- SMV2020
- SMV2022
- SMV2023
- ГИГАМИТ®
- МА46
- МАВР-000400
- МАВР-0454xx
- МГВ
- МСВ34000
Пакет
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Лоток
- Масса
- Насыпной
- Поднос
- Разрезанная лента (CT)
- Сумка
Статус части
- Активный
- Не для новых дизайнов
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Прекращено в
- Производство прекращено в
- Снято с производства в
- Устаревший
Емкость при Vr, F
- -
- 0,05 пФ при 15 В, 1 МГц
- 0,2 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 0,27 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,2пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,35пФ @ 20В, 1МГц
- 0,35пФ @ 8В, 1МГц
- 0,3пФ @ 20В, 1МГц
- 0,3пФ @ 4В, 1МГц
- 0,42 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,45 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 0,45 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,4пФ @ 20В, 1МГц
- 0,4пФ @ 4В, 1МГц
- 0,4пФ @ 6В, 1МГц
- 0,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 0,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,5 пФ при 6 В, 1 МГц
- 0,51 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,52пФ @ 28В, 1МГц
- 0,55 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,55пФ @ 20В, 1МГц
- 0,5пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,61пФ @ 6В, 500МГц
- 0,61пФ @ 6В, 50МГц
- 0,6пФ @ 4В, 1МГц
- 0,6пФ @ 6В, 1МГц
- 0,7 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 0,75пФ @ 26В, 1МГц
- 0,75пФ @ 30В, 1МГц
- 0,76пФ @ 25В, 1МГц
- 0,77 пФ при 4 В, 1 МГц
- 0,78пФ @ 4,7В, 50МГц
- 0,7пФ @ 20В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 1МГц
- 0,7пФ @ 4В, 50МГц
- 0,83пФ @ 26В, 1МГц
- 0,8пФ @ 4В, 1МГц
- 0,8пФ @ 6В, 1МГц
- 0,94 пФ при 6 В, 500 МГц
- 0,94пФ @ 6В, 500МГц
- 0,94пФ @ 6В, 50МГц
- 0,9пФ @ 20В, 1МГц
- 0,9пФ @ 28В, 1МГц
- 0.14pF @ 20V, 1MHz
- 0.25pF @ 20V, 1MHz
- 0.34pF @ 20V, 50MHz
- 0.43pF @ 20V, 50MHz
- 0.4pF @ 0V, 1MHz
- 1,055пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,05пФ @ 28 В, 1 МГц
- 1,08пФ @ 20В, 1МГц
- 1,1 пФ @ 0 В, 1 МГц
- 1,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,17 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,1пФ @ 6В, 50МГц
- 1,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,2 пФ при 6 В, 1 МГц
- 1,25 пФ @ 18 В, 1 МГц
- 1,2пФ @ 28В, 1МГц
- 1,2пФ @ 4В, 1МГц
- 1,32 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,3пФ @ 20В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 1МГц
- 1,45пФ @ 4В, 50МГц
- 1,5 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,5пФ @ 3В, 1МГц
- 1,5пФ @ 4В, 1МГц
- 1,7пФ @ 4,7В, 50МГц
- 1,8 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 1,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 1,81пФ @ 4В, 1МГц
- 1,8пФ @ 4В, 1МГц
- 1,98 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 1,9пФ @ 6В, 50МГц
- 1.1pF @ 20V, 1MHz
- 10,6 пФ @ 10 В, 1 МГц
- 10,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 10пФ @ 20В, 1МГц
- 10пФ @ 4В, 1МГц
- 11,2 пФ при 2,3 В, 1 МГц
- 11,8 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 11пФ @ 4В, 1МГц
- 12,1 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 12,5пФ @ 2,5В, 1МГц
- 120пФ @ 4В, 1МГц
- 12пФ @ 4В, 50МГц
- 13,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 13,4 пФ @ 9 В, 1 МГц
- 13,5 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 13,8пФ @ 2В, 1МГц
- 13пФ @ 8В, 1МГц
- 14,4 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 14,5 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 14,8 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
- 16,2 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 16,2 пФ при 1 В, 1 МГц
- 16,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 16,5пФ @ 4В, 1МГц
- 16,84 пФ @ 6,5 В, 1 МГц
- 17пФ @ 4В, 1МГц
- 18,55пФ @ 8В, 1МГц
- 19,75пФ @ 8В, 1МГц
- 19,8 пФ при 4 В, 1 МГц
- 19пФ @ 20В, 1МГц
- 1пФ @ 4В, 1МГц
- 2,05 пФ при 4 В, 1 МГц
- 2,11пФ @ 4В, 50МГц
- 2,15пФ @ 4В, 1МГц
- 2,18пФ @ 25В, 1МГц
- 2,1пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,22пФ @ 28В, 1МГц
- 2,25пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 28В, 1МГц
- 2,2пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3 пФ @ 25 В, 1 МГц
- 2,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 2,35пФ @ 4В, 1МГц
- 2,3пФ @ 20В, 1МГц
- 2,3пФ @ 28В, 1МГц
- 2,4 пФ при 8 В, 1 МГц
- 2,4пФ @ 20В, 1МГц
- 2,4пФ @ 25В, 1МГц
- 2,5 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 2,55пФ @ 4В, 1МГц
- 2,5пФ @ 4В, 1МГц
- 2,754 пФ @ 28 В, 1 МГц
- 2,75пФ @ 28В, 1МГц
- 2,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2,8 пФ @ 4,7 В, 1 МГц
- 2,89пФ @ 28В, 1МГц
- 2,8пФ @ 4,7В, 50МГц
- 2,92пФ @ 25В, 1МГц
- 2,95пФ @ 4В, 1МГц
- 2,9пФ @ 2,5В, 1МГц
- 2,9пФ @ 28В, 1МГц
- 2.13pF @ 10V, 1MHz
- 2.225pF @ 28V, 1MHz
- 21,2пФ @ 1В, 1МГц
- 22,7пФ @ 8В, 1МГц
- 22пФ @ 4В, 1МГц
- 24,2 пФ при 4 В, 1 МГц
- 24,2пФ @ 4В, 1МГц
- 25пФ @ 3В, 1МГц
- 26,3пФ @ 8В, 1МГц
- 26пФ @ 0В, 1МГц
- 28,2пФ @ 8В, 1МГц
- 29,7пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 4В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 1МГц
- 2пФ @ 6В, 50МГц
- 3,1 пФ @ 3 В, 1 МГц
- 3,3 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,3пФ @ 28В, 1МГц
- 3,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 3,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
- 3,7пФ @ 4В, 1МГц
- 3,8 пФ @ 1 В, 1 МГц
- 3,9пФ @ 4В, 1МГц
- 3.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 32пФ @ 3В, 1МГц
- 36,3 пФ при 4 В, 1 МГц
- 36,3пФ @ 4В, 1МГц
- 3пФ @ 4В, 1МГц
- 4,7пФ @ 4В, 1МГц
- 4.2пФ @ 0В, 1МГц
- 4.8pF @ 4.7V, 50MHz
- 42пФ @ 3В, 1МГц
- 47,5пФ @ 2В, 1МГц
- 48,1пФ @ 2В, 1МГц
- 5,3пФ @ 6В, 50МГц
- 5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц
- 5,4пФ @ 1В, 1МГц
- 5,5 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,5 пФ @ 6 В, 1 МГц
- 5,5 пФ при 8 В, 1 МГц
- 5,5пФ @ 4В, 1МГц
- 5,5пФ @ 4В, 50МГц
- 5,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 5,8 пФ @ 4,7 В, 50 МГц
- 51,7 пФ при 4 В, 1 МГц
- 6,1пФ @ 2В, 1МГц
- 6,2 пФ @ 8 В, 1 МГц
- 6,5пФ @ 10В, 1МГц
- 6,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 6,8пФ @ 20В, 1МГц
- 6,8пФ @ 4В, 1МГц
- 6пФ @ 25В, 1МГц
- 7,48 пФ @ 4 В, 1 МГц
- 7,5пФ @ 4В, 1МГц
- 9,2 пФ @ 20 В, 1 МГц
- 9,8 пФ @ 2,5 В, 1 МГц
Отношение емкостей
- -
- 0,25
- 1,8
- 1,9
- 1.3
- 1.55
- 1.71
- 1.75
- 1.76
- 1.8
- 1.85
- 1.9
- 10
- 10.2
- 10.8
- 10.9
- 11
- 11,5
- 11.1
- 11.3
- 11.5
- 12
- 12.1
- 12.2
- 12.3
- 12.4
- 12.6
- 12.7
- 13
- 13.1
- 14
- 14.7
- 15
- 15.3
- 16
- 16.4
- 16.6
- 17
- 17.5
- 17.8
- 19.5
- 2
- 2,8
- 2.1
- 2.2
- 2.25
- 2.3
- 2.35
- 2.4
- 2.42
- 2.45
- 2.5
- 2.6
- 2.7
- 2.8
- 20.9
- 22
- 23.2
- 24.5
- 25
- 3
- 3,46
- 3,5
- 3,9
- 3.1
- 3.2
- 3.3
- 3.37
- 3.4
- 3.5
- 3.6
- 3.7
- 3.8
- 3.9
- 4
- 4,5
- 4,9
- 4.1
- 4.2
- 4.3
- 4.45
- 4.5
- 4.6
- 4.7
- 4.8
- 5
- 5,5
- 5,6
- 5,7
- 5.1
- 5.2
- 5.3
- 5.4
- 5.41
- 5.5
- 5.6
- 5.8
- 5.9
- 6
- 6,5
- 6.1
- 6.3
- 6.4
- 6.5
- 6.6
- 7
- 7,5
- 7,8
- 7.4
- 7.7
- 8
- 8,5
- 8,7
- 8,9
- 8.1
- 8.2
- 8.3
- 8.9
- 9
- 9,5
- 9.1
- 9.4
- 9.5
- 9.6
- 9.8
- 9.9
Условие для соотношения емкостей
- -
- C0.1/C4
- C0.2/C2.3
- C0.3/C4.7
- C0.5/C2
- C0.5/C2.5
- C0.5/C28
- C0/C15
- C0/C20
- C0/C30
- C0/C45
- C0/C60
- C1/C10
- C1/C20
- C1/C25
- C1/C26
- C1/C28
- C1/C3
- C1/C4
- C1/C4.5
- C1/C5
- C1/C6
- C1/C6.5
- C1/C7
- C1/C7.5
- C1/C8
- C1/C9
- C11/C1
- C2/C10
- C2/C12
- C2/C20
- C2/C25
- C2/C30
- C2/C8
- C3/C20
- C3/C25
- C3/C30
- C3/C8
- C4/C20
- C4/C30
- C4/C6
- С0,5/С3
- С0,5/С4
- С0.3/С4.7
- С0/С20
- С0/С30
- С1/С4
- С1/С6
- С1/С7.5
- С1/С8
- С2/20
- С2/С12
- С2/С20
Максимальное пиковое обратное напряжение
- -
- 10 V
- 10 В
- 12 V
- 12 В
- 13 V
- 14 V
- 15 V
- 15 В
- 16 V
- 18 V
- 18 В
- 20 V
- 20 В
- 22 V
- 22 В
- 24 V
- 25 V
- 26 V
- 27 V
- 28 V
- 29 V
- 30 V
- 30 В
- 32 V
- 33 V
- 40 V
- 45 V
- 50 V
- 6 V
- 60 V
- 60 В
- 7 V
- 75 В
Тип диода
- -
- 1 пара общий анод
- 1 пара Общий катод
- 1 пара с общим катодом
- Single
- Одинокий
Q при обратном напряжении, частота
- -
- 100 @ 3 В, 100 МГц
- 1000 @ 4 В, 50 МГц
- 110 @ 4 В, 50 МГц
- 1100 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 @ 4 В, 50 МГц
- 1200 при 4 В, 1 МГц
- 125 @ 4 В, 50 МГц
- 130 @ 2 В, 10 МГц
- 1300 @ 4 В, 50 МГц
- 1300 при 4 В, 1 МГц
- 140 @ 2 В, 10 МГц
- 140 @ 3 В, 100 МГц
- 1400 @ 4 В, 50 МГц
- 150 @ 2 В, 100 МГц
- 150 @ 3 В, 50 МГц
- 150 при 4 В, 50 МГц
- 1500 @ 3 В, 50 МГц
- 1500 @ 4 В, 50 МГц
- 1500 при 4 В, 1 МГц
- 1500 при 4 В, 50 МГц
- 160 @ 3 В, 50 МГц
- 160 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 @ 4 В, 50 МГц
- 1600 при 4 В, 1 МГц
- 165 @ 4 В, 50 МГц
- 1680 @ 4 В, 50 МГц
- 1700 @ 4 В, 50 МГц
- 175 при 4 В, 50 МГц
- 1800 @ 4 В, 50 МГц
- 1800 при 4 В, 50 МГц
- 1900 @ 4 В, 50 МГц
- 200 @ 1 В, 1 МГц
- 200 @ 2 В, 100 МГц
- 200 @ 3 В, 50 МГц
- 200 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4 В, 50 МГц
- 2000 @ 4В, 1МГц
- 2000 @ 4В, 50МГц
- 220 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 @ 4 В, 50 МГц
- 2200 при 4 В, 1 МГц
- 2400 @ 4 В, 50 МГц
- 250 @ 2 В, 50 МГц
- 250 @ 3 В, 50 МГц
- 250 при 4 В, 50 МГц
- 2500 @ 4 В, 50 МГц
- 2500 при 4 В, 50 МГц
- 2600 @ 4 В, 50 МГц
- 2700 при 4 В, 50 МГц
- 2800 @ 4 В, 50 МГц
- 2900 @ 4 В, 50 МГц
- 300 @ 3 В, 50 МГц
- 300 @ 4 В, 50 МГц
- 300 при 4 В, 50 МГц
- 3000 @ 4 В, 50 МГц
- 3000 при 4 В, 1 МГц
- 3000 при 4 В, 50 МГц
- 3100 @ 4 В, 50 МГц
- 3200 @ 4 В, 50 МГц
- 3300 @ 4 В, 50 МГц
- 350 @ 3 В, 50 МГц
- 350 @ 4 В, 50 МГц
- 350 при 2 В, 50 МГц
- 350 при 4 В, 50 МГц
- 3500 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 @ 4 В, 50 МГц
- 3600 при 4 В, 50 МГц
- 3800 @ 4 В, 50 МГц
- 3900 @ 4 В, 50 МГц
- 400 @ 3 В, 50 МГц
- 400 @ 4 В, 50 МГц
- 400 при 2 В, 50 МГц
- 400 при 3 В, 50 МГц
- 4000 @ 4 В, 50 МГц
- 4000 при 4 В, 50 МГц
- 415 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 3 В, 50 МГц
- 450 @ 4 В, 50 МГц
- 450 при 2 В, 50 МГц
- 450 при 4 В, 50 МГц
- 4500 при 4 В, 1 МГц
- 4500 при 4 В, 50 МГц
- 50 @ 2 В, 10 МГц
- 500 @ 4 В, 50 МГц
- 5000 @ 4 В, 50 МГц
- 60 @ 3 В, 100 МГц
- 600 @ 25 В, 200 МГц
- 600 @ 3 В, 50 МГц
- 600 @ 4 В, 50 МГц
- 600 при 3 В, 50 МГц
- 6000 @ 4 В, 50 МГц
- 6300 при 4 В, 50 МГц
- 6500 при 4 В, 50 МГц
- 70 @ 3 В, 100 МГц
- 700 @ 3 В, 50 МГц
- 700 @ 4 В, 50 МГц
- 7000 @ 4 В, 50 МГц
- 75 @ 3 В, 500 МГц
- 750 @ 4 В, 50 МГц
- 750 при 4 В, 1 МГц
- 750 при 4 В, 50 МГц
- 7500 @ 4 В, 50 МГц
- 80 @ 4 В, 50 МГц
- 80 при 4 В, 50 МГц
- 800 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 @ 4 В, 50 МГц
- 8000 при 4 В, 50 МГц
- 850 @ 4 В, 50 МГц
- 900 @ 4 В, 50 МГц
Тип крепления
- -
- Крепление на шпильке
- Крепление шпильки
- Поверхностный монтаж
- Сквозное отверстие
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)

BB172X
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 32V SOD323

BB135,115
NXP USA Inc.
DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323

BB135,135
NXP USA Inc.
DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323

BB170X
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323

BB174X
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523

BB201,215
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP DUAL 15V SOT-23

BB175X
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 32V SOD523

BB208-02,115
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP 10V 20MA SOD523

BB208-02,135
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP 10V 20MA SOD523

BB131,135
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323

BB131,115
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323

BB173X
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 32V SOD523

BB207,235
NXP USA Inc.
DIODE FM VAR CAP DUAL SOT23

BB207,215
NXP USA Inc.
DIODE FM VAR CAP 15V SOT-23

BB156
NXP USA Inc.
VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 16PF

BB131
NXP USA Inc.
VARIABLE CAPACITANCE DIODE, VERY

BB202
NXP USA Inc.
VARIABLE CAPACITANCE DIODE, SILI

BB181,115
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523

BB145B,115
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP 6V SOD-523

BBY40,235
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23

BBY40,215
NXP USA Inc.
DIODE VHF VAR CAP 30V SOT-23

BB202,135
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP 6V 10MA SOD523

BB202,115
NXP USA Inc.
DIODE VAR CAP 6V SOD-523

BB189315
NXP USA Inc.
DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523

BB178/L315
NXP USA Inc.
VARIABLE CAPACITANCE DIODE, VERY