Номер детали:
Производитель
- Allegro MicroSystems
- Analog Devices Inc.
- Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Broadcom Limited
- Fairchild Semiconductor
- Infineon Technologies
- Monolithic Power Systems Inc.
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas
- Renesas Electronics America Inc.
- Silicon Labs
- Skyworks Solutions Inc.
- STMicroelectronics
- Texas Instruments
- Vishay Semiconductor Opto Division
Модельный ряд
- *
- -
- EiceDRIVER™
- EiceDriver™
- EiceDRIVER™ SIL
- iCoupler®
- IsoPower®, iCoupler®
- NEPOC
- Si8238
- Si823Hx
- Si823x
- Si8252x
- Si827x
- Автомобильная промышленность
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, EiceDriver™
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, gapDRIVE™
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Si823Hx
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Si8252x
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Si826x
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, SI827x
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Si827x
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Si871x
- Автомобильная промышленность, AEC-Q100, функциональная безопасность (FuSa)
- Автомобильная промышленность, AEC-Q101
- ОПТОПЛАНАР®
- Си823x
- Си826x
- Си827x
- ЭйсДРАЙВЕР™
Пакет
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Лоток
- Насыпной
- Поднос
- Полоса
- Разрезанная лента (CT)
- Сумка
- Трубка
Статус части
- Активный
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Предварительный
- Снято с производства в
- Устаревший
Технология
- -
- Емкостная связь
- Магнитная муфта
- Оптическая муфта
- Оптическая связь
- Радиочастотная муфта
Количество каналов
- -
- 1
- 2
- 4
Напряжение изоляции
- -
- 1,5 кВрм
- 1,85 кВрмс
- 1000 В (среднеквадратичное значение)
- 1000 Вrms
- 1200 Вrms
- 1500 В ПОСТОЯННОГО ТОКА
- 1500 В постоянного тока
- 1600 В (среднеквадратичное значение)
- 1667 Врмз
- 1700 В ПОСТОЯННОГО ТОКА
- 2500 В (среднеквадратичное значение)
- 2500 Вrms
- 2830Vrms
- 3000 В (среднеквадратичное значение)
- 3000 Вrms
- 3250 Врмз
- 3530Vrms
- 3750 В (среднеквадратичное значение)
- 3750 Врмз
- 4000 В рм
- 4243 Врмз
- 4500 В рм
- 4800 Впк
- 5,85 кВрмс
- 500 В (среднеквадратичное значение)
- 5000 В (среднеквадратичное значение)
- 5000 Вrms
- 5300 Врмз
- 5700 В (среднеквадратичное значение)
- 5700 Врмз
- 6000 Вrms
- 7500 В рм
- 8000 Врмз
- 8000Впик
- 8000Впк
Минимальная устойчивость к переходным процессам в общем режиме
- -
- 10 кВ/мкс
- 100 В/нс
- 100 кВ/мкс
- 100 кВ/мкс (макс.)
- 120 кВ/мкс
- 125 В/нс
- 125 кВ/мкс
- 15 кВ/мкс
- 150 В/мкс
- 150 В/нс
- 150 кВ/мкс
- 20 кВ/мкс
- 200 В/нс
- 200 кВ/мкс
- 25 кВ/мкс
- 30 кВ/мкс
- 30 кВ/мкс (тип)
- 300 В/нс
- 300 кВ/мкс
- 300 кВ/мкс (тип)
- 35 кВ/мкс
- 35кВ/мкс
- 40 кВ/мкс
- 45 кВ/мкс
- 48 кВ/мкс
- 5 кВ/мкс
- 50 кВ/мкс
- 75 кВ/мкс
- 9 кВ/мкс
Максимальная задержка распространения для поднимающихся/опускающихся краев
- -
- 1 мкс, 1 мкс
- 100 нс, 100 нс
- 100ns, 100ns
- 105ns, 105ns
- 105ns, 75ns
- 105нс, 105нс
- 110ns, 110ns
- 115ns, 115ns
- 116ns, 116ns
- 116нс, 116нс
- 120ns, 120ns
- 120ns, 150ns
- 128ns, 128ns
- 130 нс, 130 нс
- 130ns, 121ns
- 130ns, 130ns
- 131нс, 137нс
- 135 нс, 95 нс
- 140ns, 40ns
- 150ns, 150ns
- 160ns, 160ns
- 175нс, 175нс
- 2 мкс, 2 мкс
- 2 мс, 0,12 мс
- 200 мкс, 200 мкс
- 200ns, 200ns
- 210ns, 210ns
- 220ns, 250ns
- 250ns, 300ns
- 250нс, 250нс
- 250нс, 280нс
- 255нс, 255нс
- 270нс, 262нс
- 280ns, 280ns
- 30 нс, 30 нс
- 300ns, 300ns
- 30ns, 30ns
- 30нс, 58нс
- 33ns, 44ns
- 350нс, 250нс
- 36ns, 36ns
- 38ns, 38ns
- 40 нс, 40 нс
- 400 нс, 850 нс
- 400ns, 400ns
- 40ns, 40ns
- 40ns, 48ns
- 42 нс, 53 нс
- 42ns, 58ns
- 44 нс, 44 нс
- 45ns, 45ns
- 45нс, 45нс
- 50 нс, 50 нс
- 500ns, 500ns
- 50ns, 50ns
- 54ns, 54ns
- 54нс, 54нс
- 55ns, 40ns
- 55нс, 55нс
- 58 нс, 30 нс
- 58нс, 58нс
- 59нс, 59нс
- 60 нс, 50 нс
- 60ns, 40ns
- 60ns, 50ns
- 60ns, 60ns
- 62нс, 62нс
- 65нс, 65нс
- 66нс, 66нс
- 68нс, 68нс
- 69нс, 79нс
- 700ns, 700ns
- 70ns, 70ns
- 72 нс, 75 нс
- 75 нс, 60 нс
- 75ns, 75ns
- 75нс, 75нс
- 80ns, 80ns
- 84 нс, 92 нс
- 85нс, 85нс
- 90ns, 90ns
- 90нс, 90нс
- 95ns, 95ns
Максимальное искажение ширины импульса
- -
- 10 нс
- 100 нс
- 10ns (Typ)
- 120ns
- 13ns
- 140ns
- 14ns
- 150ns
- 15нс
- 16,5 нс
- 16ns
- 18ns (Typ)
- 19ns
- 200ns
- 20ns
- 230ns
- 250ns
- 25ns
- 25нс
- 26нс
- 28ns
- 28нс
- 2ns
- 30 нс
- 300 нс
- 30ns
- 35 нс
- 35нс
- 40ns
- 47ns
- 5,5 нс
- 5,6 нс
- 50ns
- 5ns
- 5нс
- 6,5 нс
- 65нс
- 6ns
- 6нс
- 70 нс (мин.)
- 70ns
- 75ns
- 80ns
- 8ns
- 8нс
- 90ns
Время нарастания / спада (типичное)
- -
- 10 нс, 10 нс
- 10,5 нс, 13,3 нс
- 100ns, 100ns
- 105ns, 107ns
- 10ns, 10ns
- 10ns, 15ns
- 10нс, 9нс
- 11 нс, 10 нс
- 11нс, 10нс
- 12 нс, 12 нс (макс.)
- 12 нс, 8,3 нс
- 120ns, 150ns
- 12нс, 10нс
- 12нс, 12нс
- 12нс, 12нс (макс.)
- 13ns, 13ns
- 13нс, 13нс
- 13нс, 8нс
- 14ns, 14ns
- 14нс, 19нс
- 15 нс, 15 нс (макс.)
- 150 нс, 150 нс (макс.)
- 15нс, 10нс
- 15нс, 15нс
- 15нс, 15нс (макс.)
- 15нс, 20нс
- 16нс, 16нс
- 17ns, 17ns
- 18нс, 18нс
- 18нс, 20нс
- 2,5 нс, 2,5 нс (макс.)
- 20 нс, 20 нс (макс.)
- 200ns, 200ns
- 20ns, 10ns
- 20ns, 20ns
- 22ns, 18ns
- 23нс, 22нс
- 25 нс, 10 нс (макс.)
- 25 нс, 25 нс (макс.)
- 25ns, 25ns
- 25ns, 30ns
- 26 нс, 7,5 нс
- 28 нс, 24 нс (макс.)
- 28 нс, 25 нс (макс.)
- 28ns, 25ns
- 3,6 нс, 1,8 нс (макс.)
- 3,6 нс, 2,5 нс
- 3,6 нс, 2,5 нс (макс.)
- 30 нс, 30 нс (макс.)
- 30ns, 20ns
- 30ns, 30ns
- 30ns, 50ns
- 30ns, 60ns
- 33ns, 27ns
- 33нс, 27нс
- 34ns, 34ns
- 35ns, 25ns
- 35ns, 35ns
- 37 нс, 30 нс
- 38 нс, 24 нс
- 40ns, 40ns
- 43ns, 40ns
- 5,5 нс, 8,5 нс
- 5.5ns, 8.5ns
- 50ns, 50ns
- 55 нс, 45 нс (макс.)
- 55нс, 10нс
- 5ns, 6ns
- 6,5 нс, 4,5 нс
- 60ns, 40ns
- 60ns, 50ns
- 60ns, 60ns
- 6ns, 6ns
- 6ns, 7ns
- 70ns, 35ns
- 70ns, 50ns
- 75нс, 55нс
- 76 нс, 41 нс
- 7ns, 7ns
- 8.3ns, 5ns
- 80ns, 45ns
- 8ns, 9ns
- 8нс, 8нс
- 95ns, 100ns
- 9ns, 6ns
- 9нс, 7нс
- 9нс, 8,5нс
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)
STGAP2SMTR
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2SICSC
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
STGAP2SCMTR
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2SICSNTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
STGAP2HDMTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
STGAP2SICS
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
STGAP2SICDTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
STGAP2HSMTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
STGAP2HSCMTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
STGAP2DMTR
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2GSNCTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 3 A SINGLE
STGAP2SICSNCTR
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2GSCTR
STMicroelectronics
GALVANICALLY ISOLATED 3 A SINGLE
STGAP2SICSCTR
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2SICSTR
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2SCM
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2SM
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2SICSN
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2SICSNC
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2DM
STMicroelectronics
DGTL ISO
STGAP2HSM
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2HSCM
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2SICD
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP2HDM
STMicroelectronics
DISCRETE
STGAP1BSTR
STMicroelectronics
IC GATE DVR ISO 2.5KV 1CH 24SOIC