Fairchild FDC654P
P-канал30 V3,6 А (Ta)3 В @ 250 мкА1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDC654P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
₽14.85
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge (6.2 nC typical)
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
–3.6 A, –30 V.
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC638APZ
onsemi
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
FDC642P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
FDC653N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
FDC645N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
FDC6420C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
FDC6506P
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
FDC653N
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDC642P
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,6 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 75 мОм @ 3,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 9 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 298 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
Пакет / футляр: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1957 году со штаб-квартирой в Сан-Хосе, штат Калифорния. Компания специализируется на решениях в области управления питанием и аналоговых полупроводниковых приборах и была приобретена ON Semiconductor в 2016 году.
Популярные номера деталей
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB