Fairchild FDPF12N50NZ
N-канальный500 V11,5A (Tc)5 В @ 250 мкА42 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDPF12N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
₽76.36
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
Bulk Package100% avalanche tested
ESD improved capability
RoHS compliant
RDS(on) = 460mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 5.75A
Low gate charge ( Typ. 23nC)
Low Crss ( Typ. 14pF)
Applications
LCD / LED / PDP TV
Lighting
Uninterruptible Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDPC4044
onsemi
MOSFET 2N-CH 8MLP
FDPF10N50FT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FDPC8016S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
FDPC8014S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
FDP8N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FDPC8014S
onsemi
25V ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL PO
FDPF10N50FT
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDP8N50NZ
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET-II™
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 520 мОм @ 5,75 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 30 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1235 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 42 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Пакет / футляр: TO-220-3 Полный комплект
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1957 году со штаб-квартирой в Сан-Хосе, штат Калифорния. Компания специализируется на решениях в области управления питанием и аналоговых полупроводниковых приборах и была приобретена ON Semiconductor в 2016 году.
Популярные номера деталей
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC