Свяжитесь с нами
pусский
2N5115E3

Microchip 2N5115E3

30 V100 ОмTO-206AA, TO-18-3 Металлическая банка

Сравнить
Microchip Technology
2N5115E3
JFET P-CH 30V TO18
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽3230.56

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 2N5115 is JFET P-CH 30V TO-18, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a IFN5115 Part Aliases, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Technology is designed to work in Si, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as TO-206AA (TO-18) Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 500 mW Pd Power Dissipation, the device has a - 15 mA of Id Continuous Drain Current, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 15 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 100 Ohms, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Vgs Gate Source Breakdown Voltage is 30 V, and Gate Source Cutoff Voltage is 6 V.

2N5114UB with circuit diagram manufactured by Microsemi. is part of the JFETs (Junction Field Effect), , and with support for JFET P Channel Jfet, JFET P-Channel 30V 500mW Surface Mount UB, Trans JFET P-CH 30V 3-Pin UB.

Features

Bulk Package
30 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
15 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
3 V @ 1 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
25pF @ 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
100 Ohms Resistance - RDS(On)
500 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 30 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 3 В @ 1 нА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 25 пФ @ 15 В
Устойчивость к внешним воздействиям: 100 Ом
Максимальная мощность: 500 мВт
Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-206AA, TO-18-3 Металлическая банка
Поставщик Упаковка устройства: К-18 (К-206АА)
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z