Свяжитесь с нами
pусский
2N6351

Microchip 2N6351

NPN - Дарлингтон5 A150 V

Сравнить
Microchip Technology
2N6351
TRANS NPN DARL 150V 5A TO33
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽157.93

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 2N6348AG is TRIAC 600V 12A TO220AB, that includes 2N6348A Series, they are designed to operate with a Bulk Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.211644 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as TO-220AB Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 40mA Current Hold Ih Max, the device has a 600V of Voltage Off State, and Voltage Gate Trigger Vgt Max is 2V, and the Current Gate Trigger Igt Max is 50mA, and Current On State It RMS Max is 12A, and the Current Non Rep# Surge 50 60Hz Itsm is 100A @ 60Hz, and Triac Type is Standard, it has an Maximum Operating Temperature range of + 125 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 40 C, and the Rated Repetitive Off State Voltage VDRM is 600 V, and Holding Current Ih Max is 40 mA, and the Gate Trigger Voltage Vgt is 2.5 V, and Gate Trigger Current Igt is 75 mA, and the Non Repetitive On State Current is 100 A, and Off State Leakage Current VDRM IDRM is 10 uA, and the On State Voltage is 1.75 V.

The 2N6350 is Darlington Transistors NPN Darlington Transistor manufactured by Microsemi. The 2N6350 is available in CAN Package, is part of the Transistors (BJT) - Arrays, , and with support for Darlington Transistors NPN Darlington Transistor, Bipolar (BJT) Transistor, Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33.

Features

Bulk Package
5 A Current - Collector (Ic) (Max)
150 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
2.5V @ 10mA, 5A Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1000 @ 5A, 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1 W Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN - Дарлингтон
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 5 A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 150 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 2,5 В @ 10 мА, 5 А
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Максимальная мощность: 1 W
Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-205AC, TO-33-4 Металлическая банка
Поставщик Упаковка устройства: TO-33
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z