Свяжитесь с нами
pусский
DN1509K1-G

Microchip DN1509K1-G

N-канальный90 V200 мА (Tj)490 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Microchip Technology
DN1509K1-G
MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
DN1509K1-G Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽68.40

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure andwell proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Features

Tape & Reel (TR) Package
a continuous drain current (ID) of 200mA
a 90V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Microchip Technology
DN1509K1-G applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 90 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 200 мА (Tj)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 0V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6 Ом @ 200 мА, 0 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 150 пФ @ 25 В
Характеристика FET: Режим истощения
Максимальная рассеиваемая мощность: 490 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-5
Упаковка / Кейс: SC-74A, SOT-753
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z