Свяжитесь с нами
pусский
DN2450N8-G

Microchip DN2450N8-G

N-канальный500 V230 мА (Tj)1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Microchip Technology
DN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
DN2450N8-G Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽162.17

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Features

Tape & Reel (TR) Package
a continuous drain current (ID) of 230mA
a drain-to-source breakdown voltage of 500V voltage
based on its rated peak drain current 0.9A.

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Microchip Technology
DN2450N8-G applications of single MOSFETs transistors.

  • LCD/LED TV
  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 230 мА (Tj)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 0V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 10 Ом @ 300 мА, 0 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 200 пФ @ 25 В
Характеристика FET: Режим истощения
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-243AA (SOT-89)
Упаковка / Кейс: TO-243AA
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z