Свяжитесь с нами
pусский
MX2N4857

Microchip MX2N4857

40 V40 ОмTO-206AA, TO-18-3 Металлическая банка

Сравнить
Microchip Technology
MX2N4857
JFET N-CH 40V TO18
MX2N4857 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽3966.80

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 1N483BTR is DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35, that includes Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a DO-204AH, DO-35, Axial Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Supplier Device Package features such as DO-35, Speed is designed to work in Small Signal =, as well as the Standard Diode Type, the device can also be used as 25nA @ 60V Current Reverse Leakage Vr. In addition, the Voltage Forward Vf Max If is 1V @ 100mA, the device is offered in 80V Voltage DC Reverse Vr Max, the device has a 200mA of Current Average Rectified Io, it has an Operating Temperature Junction range of 175°C (Max).

1N483BUR with EDA / CAD Models, that includes Surface Mount Mounting Type, they are designed to operate with a Standard Diode Type, Speed is shown on datasheet note for use in a Small Signal =, that offers Package Case features such as DO-213AA, Packaging is designed to work in Bulk, it has an Operating Temperature Junction range of -65°C ~ 175°C, the device can also be used as 50mA Current Average Rectified Io. In addition, the Current Reverse Leakage Vr is 25nA @ 225V, the device is offered in 225V Voltage DC Reverse Vr Max, the device has a 1V @ 100mA of Voltage Forward Vf Max If.

Features

Bulk Package
40 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
100 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
6 V @ 500 pA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
18pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40 Ohms Resistance - RDS(On)
360 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 40 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 6 В @ 500 пА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 18пФ @ 10В
Устойчивость к внешним воздействиям: 40 Ом
Максимальная мощность: 360 мВт
Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Пакет / футляр: TO-206AA, TO-18-3 Металлическая банка
Поставщик Упаковка устройства: К-18 (К-206АА)
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z