Microchip VN2210N2
N-канальный100 V1.7A (Tj)2,4 В @ 10 мА360 мВт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьVN2210N2
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
₽1512.77
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
VN2210N2 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Features
Bag Packagea continuous drain current (ID) of 1.7A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 50 ns
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of Microchip Technology
VN2210N2 applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Сумка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1.7A (Tj)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 350 мОм @ 4A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,4 В @ 10 мА
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 500 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 360 мВт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-39
Упаковка / Кейс: TO-205AD, TO-39-3 Металлическая банка
Microchip Technology
Microchip Technology - ведущий мировой поставщик полупроводников, основанный в 1989 году и имеющий штаб-квартиру в Чандлере, штат Аризона. Компания специализируется на выпуске микроконтроллеров, смешанных сигналов, аналоговых и флэш-решений, обслуживающих широкий спектр рынков встраиваемых управляющих приложений.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN