Microsemi 2N4857UB
40 V40 Ом3-SMD, без свинца
Сравнить2N4857UB
JFET N-CH 40V
Нет технического описания
₽7352.47
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The 1N483BTR is DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35, that includes Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a DO-204AH, DO-35, Axial Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Supplier Device Package features such as DO-35, Speed is designed to work in Small Signal =, as well as the Standard Diode Type, the device can also be used as 25nA @ 60V Current Reverse Leakage Vr. In addition, the Voltage Forward Vf Max If is 1V @ 100mA, the device is offered in 80V Voltage DC Reverse Vr Max, the device has a 200mA of Current Average Rectified Io, it has an Operating Temperature Junction range of 175°C (Max).
1N483BUR with EDA / CAD Models, that includes Surface Mount Mounting Type, they are designed to operate with a Standard Diode Type, Speed is shown on datasheet note for use in a Small Signal =, that offers Package Case features such as DO-213AA, Packaging is designed to work in Bulk, it has an Operating Temperature Junction range of -65°C ~ 175°C, the device can also be used as 50mA Current Average Rectified Io. In addition, the Current Reverse Leakage Vr is 25nA @ 225V, the device is offered in 225V Voltage DC Reverse Vr Max, the device has a 1V @ 100mA of Voltage Forward Vf Max If.
Features
Bulk Package40 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
100 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
6 V @ 500 pA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
18pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40 Ohms Resistance - RDS(On)
360 mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 40 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 6 В @ 500 пА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 18пФ @ 10В
Устойчивость к внешним воздействиям: 40 Ом
Максимальная мощность: 360 мВт
Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 3-SMD, без свинца
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.
Популярные номера деталей
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP