Свяжитесь с нами
pусский
APT20M11JVR

Microsemi APT20M11JVR

N-канальный200 V175A (Tc)4 В @ 5 мА700 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Крепление на шасси

Сравнить
Microsemi Corporation
APT20M11JVR
MOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP
APT20M11JVR Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽1693.05

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

• Faster Switching• Lower Leakage• 100% Avalanche Tested• Popular SOT-227 Package

Features

POWER MOS V® Series
the avalanche energy rating (Eas) is 3600 mJ
a continuous drain current (ID) of 175A
a drain-to-source breakdown voltage of 200V voltage
the turn-off delay time is 75 ns
based on its rated peak drain current 700A.

ISOTOP® Supplier Device Package

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT20M11JVR applications of single MOSFETs transistors.

  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: МОЩНЫЙ МОП V®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 175A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 11 мОм @ 500 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 5 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 180 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 21600 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 700 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Крепление на шасси
Поставщик Упаковка устройства: ISOTOP®
Упаковка / Кейс: SOT-227-4, miniBLOC
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z