Свяжитесь с нами
pусский
APT4M120K

Microsemi APT4M120K

N-канальный1200 V5A (Tc)5 В @ 1 мА225 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
Microsemi Corporation
APT4M120K
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽113.41

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The APT48M80L is MOSFET N-CH 800V 48A TO-264, that includes 1.340411 oz Unit Weight, they are designed to operate with a Through Hole Mounting Style, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-247-3, that offers Technology features such as Si, Configuration is designed to work in Single, as well as the 1.135 kW Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, the device is offered in 70 ns Fall Time, the device has a 42 ns of Rise Time, and Vgs Gate Source Voltage is +/- 30 V, and the Id Continuous Drain Current is 49 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 800 V, and the Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 4 V, and Rds On Drain Source Resistance is 190 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 230 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 55 ns, and Qg Gate Charge is 305 nC, and the Forward Transconductance Min is 43 S, and Channel Mode is Enhancement.

The APT48M80B2 is MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX, that includes Si Technology.

Features

Tube Package
a continuous drain current (ID) of 5A
a drain-to-source breakdown voltage of 1.2kV voltage
the turn-off delay time is 24 ns
a 1200V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT4M120K applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4 Ом @ 2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 43 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1385 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 225 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220 [K]
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z