Свяжитесь с нами
pусский
APT50GN60BDQ2G

Microsemi APT50GN60BDQ2G

600 V107 A1185 мкДж (вкл.), 1565 мкДж (выкл.)-55°C ~ 175°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
Microsemi Corporation
APT50GN60BDQ2G
IGBT 600V 107A 366W TO247
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽1222.89

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The APT50GN120L2DQ2G is IGBT 1200V 134A 543W TO264, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.373904 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-264-3, TO-264AA, Input Type is designed to work in Standard, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Power Max is 543W, the device is offered in 134A Current Collector Ic Max, the device has a 1200V of Voltage Collector Emitter Breakdown Max, and IGBT Type is NPT, Trench Field Stop, and the Current Collector Pulsed Icm is 150A, and Vce on Max Vge Ic is 2.1V @ 15V, 50A, and the Switching Energy is 4495μJ (off), and Gate Charge is 315nC, and the Td on off 25°C is 28ns/320ns, and Test Condition is 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V, and the Pd Power Dissipation is 543 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1.2 kV, and the Collector Emitter Saturation Voltage is 1.7 V, and Continuous Collector Current at 25 C is 134 A, and the Gate Emitter Leakage Current is 600 nA, and Maximum Gate Emitter Voltage is 30 V, and the Continuous Collector Current Ic Max is 134 A.

The APT50GN60BDQ is IGBT 600V 107A 366W TO247 manufactured by APT. The APT50GN60BDQ is available in TO-247-3 Package, is part of the IGBTs - Single, , and with support for IGBT 600V 107A 366W TO247.

Features

Tube Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
107 A Current - Collector (Ic) (Max)
150 A Current - Collector Pulsed (Icm)
1.85V @ 15V, 50A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
366 W Power - Max
1185µJ (on), 1565µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
325 nC Gate Charge
20ns/230ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Test Condition
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип IGBT: Полевая остановка в траншее
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 600 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 107 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 150 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 1,85 В @ 15 В, 50 А
Максимальная мощность: 366 W
Переключение энергии: 1185 мкДж (вкл.), 1565 мкДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 325 нС
Время задержки включения/выключения при 25°C: 20ns/230ns
Условия испытаний: 400 В, 50 А, 4,3 Ом, 15 В
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: TO-247 [B]
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z