Свяжитесь с нами
pусский
APT80SM120B

Microsemi APT80SM120B

N-канальный1200 V80A (Tc)2,5 В @ 1 мА555 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
Microsemi Corporation
APT80SM120B
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
APT80SM120B Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The APT80GP60J is IGBT 600V 151A 462W SOT227, that includes POWER MOS 7R Series, they are designed to operate with a Bulk Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a ISOTOP, that offers Mounting Type features such as Chassis Mount, Supplier Device Package is designed to work in ISOTOPR, as well as the Standard Input, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Power Max is 462W, the device is offered in 151A Current Collector Ic Max, the device has a 600V of Voltage Collector Emitter Breakdown Max, and Current Collector Cutoff Max is 1mA, and the IGBT Type is PT, and Vce on Max Vge Ic is 2.7V @ 15V, 80A, and the Input Capacitance Cies Vce is 9.84nF @ 25V, and NTC Thermistor is No.

The APT80M60J is Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8 manufactured by APT. The APT80M60J is available in MODULE Package, is part of the Module, , and with support for Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8, N-Channel 600V 84A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP?, Trans MOSFET N-CH Si 600V 84A 4-Pin SOT-227.

Features

Bulk Package
a continuous drain current (ID) of 80A
a 1200V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT80SM120B applications of single MOSFETs transistors.

  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 20V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 55 мОм при 40 А, 20 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 235 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: +25 В, -10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 555 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: ТО-247
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z