Свяжитесь с нами
pусский
JANTX2N3019S

Microsemi JANTX2N3019S

NPN1 A80 V

Сравнить
Microsemi Corporation
JANTX2N3019S
TRANS NPN 80V 1A TO39
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The Jantx2N3019 is Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a Through Hole Mounting Style, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-5-3, that offers Configuration features such as Single, Pd Power Dissipation is designed to work in 800 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 200 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 65 C. In addition, the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 80 VDC, the device is offered in NPN Transistor Polarity, the device has a 0.2 V of Collector Emitter Saturation Voltage, and Collector Base Voltage VCBO is 140 VDC, and the Emitter Base Voltage VEBO is 7 VDC, and Continuous Collector Current is 1 A, and the DC Collector Base Gain hfe Min is 15, and DC Current Gain hFE Max is 300 mA.

The JANTX2N2946A is TRANS PNP 35V 0.1A manufactured by MOT. The JANTX2N2946A is available in TO-46-3 Package, is part of the Transistors (BJT) - Single, , and with support for TRANS PNP 35V 0.1A, Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 100mA 400mW Through Hole TO-46 (TO-206AB), Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor.

Features

Bulk Package
the DC current gain for this device is 50 @ 500mA 10V
the vce saturation(Max) is 500mV @ 50mA, 500mA
the emitter base voltage is kept at 7V

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
JANTX2N3019S applications of single BJT transistors.

  • Inverter
  • Interface
  • Driver
  • Muting
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Военное дело, MIL-PRF-19500/391
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 1 A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 80 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 500 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток - отключение коллектора (макс.): 10 нА
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 50 @ 500 мА, 10 В
Максимальная мощность: 800 мВт
Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-205AD, TO-39-3 Металлическая банка
Поставщик Упаковка устройства: TO-39
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z