Свяжитесь с нами
pусский
LM5100AM/NOPB

NS LM5100AM/NOPB

Полумост29 В ~ 14 В

Сравнить
National Semiconductor
LM5100AM/NOPB
LM5100A 3A HIGH VOLTAGE HIGH-SID
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽153.08

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.

Features

Bulk Package
Embedded in the Bulk package
Employing a gate type of N-Channel MOSFET
8 pins
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 118V
Quiescent current of 200μA

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Texas Instruments
LM5100AM/NOPB gate drivers applications.

  • High-speed communications
  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
  • LCD/LCoS/DLP portable and embedded pico projectors
  • Multicolor LED/laser displays
  • Smart Phones
  • Portable Navigation Devices
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Программируемые: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Независимый
Количество водителей: 2
Тип ворот: N-канальный МОП-транзистор
Напряжение питания: 9 В ~ 14 В
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 2.3V, -
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 3A, 3A
Тип входа: Неинвертирующий
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 118 V
Время нарастания / спада (типичное): 430нс, 260нс
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Пакет / футляр: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
National Semiconductor

National Semiconductor

Компания National Semiconductor, основанная в 1959 году со штаб-квартирой в Санта-Кларе, штат Калифорния, является ведущим производителем аналоговых полупроводников. В 2011 году компания была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидирующие позиции на рынке аналоговых полупроводников. В 2011 году компания National Semiconductor была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидерство на рынке аналоговых полупроводников.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z