Свяжитесь с нами
pусский
LM5102SD

NS LM5102SD

Полумост29 В ~ 14 В

Сравнить
National Semiconductor
LM5102SD
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI
LM5102SD Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽124.59

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The LM5102SD high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.

Features

Bulk Package
Embedded in the Tape & Reel (TR) package
Employing a gate type of N-Channel MOSFET
10 pins
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 118V
Quiescent current of 400μA

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Texas Instruments
LM5102SD gate drivers applications.

  • PCMCIA applications
  • A/D drivers
  • Line drivers
  • Portable computers
  • High-speed communications
  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Независимый
Количество водителей: 2
Тип ворот: N-канальный МОП-транзистор
Напряжение питания: 9 В ~ 14 В
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 0,8 В, 2,2 В
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 1.6A, 1.6A
Тип входа: Неинвертирующий
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 118 V
Время нарастания / спада (типичное): 600ns, 600ns
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 10-WDFN Открытая колодка
Поставщик Упаковка устройства: 10-WSON (4x4)
National Semiconductor

National Semiconductor

Компания National Semiconductor, основанная в 1959 году со штаб-квартирой в Санта-Кларе, штат Калифорния, является ведущим производителем аналоговых полупроводников. В 2011 году компания была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидирующие позиции на рынке аналоговых полупроводников. В 2011 году компания National Semiconductor была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидерство на рынке аналоговых полупроводников.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z