Свяжитесь с нами
pусский
LM5104MX

NS LM5104MX

Полумост29 В ~ 14 В

Сравнить
National Semiconductor
LM5104MX
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI
LM5104MX Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽53.12

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The LM5104MX High-Voltage Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck configuration. The floating high-side driver can work with supply voltages up to 100 V. The high-side and low-side gate drivers are controlled from a single input. Each change in state is controlled in an adaptive manner to prevent shoot-through issues. In addition to the adaptive transition timing, an additional delay time can be added, proportional to an external setting resistor. An integrated high-voltage diode is provided to charge high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. This device is available in the standard SOIC and the WSON packages.

Features

Bulk Package
Embedded in the Tape & Reel (TR) package
2 drivers
Employing a gate type of N-Channel MOSFET
8 pins
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 118V
Quiescent current of 400μA

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Texas Instruments
LM5104MX gate drivers applications.

  • Line drivers
  • Portable computers
  • High-speed communications
  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
  • LCD/LCoS/DLP portable and embedded pico projectors
  • Multicolor LED/laser displays
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Синхронный
Количество водителей: 2
Тип ворот: N-канальный МОП-транзистор
Напряжение питания: 9 В ~ 14 В
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 0,8 В, 2,2 В
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 1.6A, 1.6A
Тип входа: Инвертирующие, неинвертирующие
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 118 V
Время нарастания / спада (типичное): 600ns, 600ns
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
National Semiconductor

National Semiconductor

Компания National Semiconductor, основанная в 1959 году со штаб-квартирой в Санта-Кларе, штат Калифорния, является ведущим производителем аналоговых полупроводников. В 2011 году компания была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидирующие позиции на рынке аналоговых полупроводников. В 2011 году компания National Semiconductor была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидерство на рынке аналоговых полупроводников.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z