NS NDS332P
P-канал20 V1A (Ta)1 В @ 250 мкА500 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
₽8.41
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
• Load Switching• DC/DC converter• Battery protection• Power management control• DC motor control
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
20 V Drain to Source Voltage (Vdss)
1A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7V, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
300mOhm @ 1.1A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
5 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±8V Vgs (Max)
195 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500mW (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,7 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 300 мОм при 1,1 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 195 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
National Semiconductor
Компания National Semiconductor, основанная в 1959 году со штаб-квартирой в Санта-Кларе, штат Калифорния, является ведущим производителем аналоговых полупроводников. В 2011 году компания была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидирующие позиции на рынке аналоговых полупроводников. В 2011 году компания National Semiconductor была приобретена Texas Instruments, что еще больше укрепило ее лидерство на рынке аналоговых полупроводников.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W