Свяжитесь с нами
pусский
2N5639

ON 2N5639

35 V60 ОмTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
onsemi
2N5639
JFET N-CH 35V TO92
2N5639 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽12.54

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 2N5638RLRA is JFET N-CH 35V 0.31W TO92, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Supplier Device Package features such as TO-92-3, FET Type is designed to work in N-Channel, as well as the 310mW Power Max, the device can also be used as 35V Voltage Breakdown V BRGSS. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 30V, the device is offered in 50mA @ 20V Current Drain Idss Vds Vgs=0, the device has a 10pF @ 12V (VGS) of Input Capacitance Ciss Vds, and Resistance RDS On is 30 Ohm.

2N5638_D26Z with circuit diagram, that includes 50mA @ 20V Current Drain Idss Vds Vgs=0, they are designed to operate with a N-Channel FET Type, Input Capacitance Ciss Vds is shown on datasheet note for use in a 10pF @ 12V (VGS), that offers Mounting Type features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads), as well as the Tape & Reel (TR) Packaging, the device can also be used as 350mW Power Max. In addition, the Resistance RDS On is 30 Ohm, the device is offered in TO-92-3 Supplier Device Package, the device has a 30V of Voltage Breakdown V BRGSS.

Features

35 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)


  • Economy Packaging

  • Fast Switching

  • Low Drain-Source ON Resistance: 30 Ω

  • Low Reverse Transfer Capacitance

  • Pb?Free Packages



Through Hole Mounting Type

Applications


  • VHF Analog Switch

  • JFET Amplifiers

  • JFET Curve Tracer

  • Binary/BCD Gain Programmed Amplifiers

  • Test and Measurement


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 35 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 мА @ 20 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 10пФ @ 12В (VGS)
Устойчивость к внешним воздействиям: 60 Ом
Максимальная мощность: 310 мВт
Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: TO-92 (TO-226)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z