ON 2SK3821-E
N-канальный100 V40A (Ta)2,6 В @ 1 мА1,65 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)150°C (TJ)Сквозное отверстие
Сравнить2SK3821-E
MOSFET N-CH 100V 40A SMP
₽249.58
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The 2SK3820-DL-E is MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a Si Technology.
2SK382 with EDA / CAD Models manufactured by HIT. The 2SK382 is available in TO-220 Package, is part of the FETs - Single.
Features
Bulk PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
40A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
33mOhm @ 20A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
73 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4200 pF @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.65W (Ta), 65W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
SMP Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 40A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 33 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,6 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 73 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4200 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,65 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: SMP
Упаковка / Кейс: TO-220-3, короткая накладка
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN