ON 5LP01C-TB-H
P-канал50 V70 мА (Ta)250 мВт (Ta)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
Сравнить5LP01C-TB-H
MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
₽6.25
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
3LN04CH-TL-E with pin details manufactured by SANYO. The 3LN04CH-TL-E is available in SOT-23 Package, is part of the IC Chips.
3LP01C-D with circuit diagram The 3LP01C-D is available in SOT23 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 70mA
a drain-to-source breakdown voltage of -50V voltage
the turn-off delay time is 160 ns
a 50V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
5LP01C-TB-H applications of single MOSFETs transistors.
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 50 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 70 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,5 В, 4 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 23 Ом @ 40 мА, 4 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 1,4 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7,4 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт (Ta)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SC-59-3/CP3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3