ON BFL4036-1E
N-канальный500 V9,6A (Tc)2 Вт (Ta), 37 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьBFL4036-1E
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
Нет технического описания
₽107.89
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The BFL4026-1E is MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES, that includes BFL4026 Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.211644 oz, that offers Package Case features such as TO-220-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as 1 N-Channel Transistor Type. In addition, the Id Continuous Drain Current is 5 A, the device is offered in 900 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, the device has a 3.6 Ohms of Rds On Drain Source Resistance, and Transistor Polarity is N-Channel.
The BFL4007 is MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES, that includes Bulk Packaging, they are designed to operate with a Si Technology.
Features
Tube Packagea continuous drain current (ID) of 9.6A
a 500V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
BFL4036-1E applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9,6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 520 мОм @ 7А, 10В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 38,4 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1000 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт (Ta), 37 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3FS
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23