ON CPH5871-TL-W
N-канальный30 V3,5 А (Ta)900 мВт (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьCPH5871-TL-W
MOSFET N-CH 30V 3.5A 5CPH
₽12.15
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The CPH5871-TL-H is MOSFET NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES, that includes CPH5871 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as SOT-25-5, Technology is designed to work in Si, as well as the 900 mW Pd Power Dissipation, the device can also be used as 3.5 A Id Continuous Drain Current. In addition, the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 30 V, the device is offered in 52 mOhms Rds On Drain Source Resistance, the device has a N-Channel of Transistor Polarity.
CPH5870-S-TL-E with EDA / CAD Models manufactured by SANYO. The CPH5870-S-TL-E is available in SOT-153 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 3.5A
a 30V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
CPH5871-TL-W applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,5 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 52 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4,7 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±12V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 430 пФ @ 10 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 5-CPH
Упаковка / Кейс: SC-74A, SOT-753
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3