ON ECH8320-TL-H
P-канал20 V9,5A (Ta)1,6 Вт (Ta)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьECH8320-TL-H
MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
Нет технического описания
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The ECH8315-TL-H is MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8, that includes ECH8315 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as ECH-8, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as 1 P-Channel Transistor Type. In addition, the Id Continuous Drain Current is - 7.5 A, the device is offered in - 30 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, the device has a 25 mOhms of Rds On Drain Source Resistance, and Transistor Polarity is P-Channel.
ECH8315-TL-W with circuit diagram, that includes Si Technology.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 9.5A
the turn-off delay time is 230 ns
a 20V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
ECH8320-TL-H applications of single MOSFETs transistors.
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 14,5 мОм @ 5 А, 4,5 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2300 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-ЕХ
Упаковка / Кейс: 8-SMD, плоский вывод
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3