Свяжитесь с нами
pусский
ECH8653-TL-H

ON ECH8653-TL-H

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)20V7.5A20 мОм @ 4 А, 8 В

Сравнить
onsemi
ECH8653-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽3.61

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The ECH8652-TL-H is MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8, that includes ECH8652 Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as 8-SMD, Flat Lead, Technology is designed to work in Si, it has an Operating Temperature range of 150°C (TJ), the device can also be used as Surface Mount Mounting Type. In addition, the Number of Channels is 2 Channel, the device is offered in 8-ECH Supplier Device Package, the device has a Dual of Configuration, and FET Type is 2 P-Channel (Dual), and the Power Max is 1.5W, and Transistor Type is 2 P-Channel, and the Drain to Source Voltage Vdss is 12V, and Input Capacitance Ciss Vds is 1000pF @ 6V, and the FET Feature is Logic Level Gate, and Current Continuous Drain Id 25°C is 6A, and the Rds On Max Id Vgs is 28 mOhm @ 3A, 4.5V, and Gate Charge Qg Vgs is 11nC @ 4.5V, and the Pd Power Dissipation is 150 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 87 ns, and the Rise Time is 72 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 10 V, and the Id Continuous Drain Current is - 6 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 12 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 49 mOhms, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 105 ns, and Typical Turn On Delay Time is 11 ns, and the Qg Gate Charge is 11 nC.

ECH8653 with circuit diagram manufactured by SANYO. The ECH8653 is available in SOT-23-8 Package, is part of the FETs - Arrays.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
7.5A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20mOhm @ 4A, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5nC @ 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1280pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.5W Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7.5A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 4 А, 8 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18,5 нК при 8 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1280 пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 1.5W
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SMD, плоский вывод
Поставщик Упаковка устройства: 8-ЕХ
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z