Свяжитесь с нами
pусский
ECH8659-TL-W

ON ECH8659-TL-W

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня, преобразователь 4 В2 N-канала (сдвоенные)30V7A24 мОм @ 3,5 А, 10 В2,6 В @ 1 мА

Сравнить
onsemi
ECH8659-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽53.23

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate, 4V Drive FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
7A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24mOhm @ 3.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
11.8nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
710pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.3W Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня, преобразователь 4 В
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 24 мОм @ 3,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,6 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 11,8 нК при 10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 710 пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 1.3W
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SMD, плоский вывод
Поставщик Упаковка устройства: SOT-28FL/ECH8
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z