Свяжитесь с нами
pусский
EFC4630R-TR

ON EFC4630R-TR

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня, преобразователь 2,5 В2 N-канальный (сдвоенный) общий сток24V6A (Ta)45 мОм @ 3 А, 4,5 В1,3 В @ 1 мА

Сравнить
onsemi
EFC4630R-TR
INTEGRATED CIRCUIT
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽31.59

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The EFC4621R-TR is MOSFET 2N-CH EFCP, that includes EFC4621R Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.002413 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in 4-XFBGA, as well as the Si Technology, it has an Operating Temperature range of 150°C (TJ). In addition, the Mounting Type is Surface Mount, the device is offered in 2 Channel Number of Channels, the device has a 4-EFCP (1.61x1.61) of Supplier Device Package, and Configuration is Dual, and the FET Type is 2 N-Channel (Dual), and Power Max is 1.6W, and the Transistor Type is 2 N-Channel, and FET Feature is Logic Level Gate, 2.5V Drive, and the Gate Charge Qg Vgs is 29nC @ 4.5V, and Pd Power Dissipation is 1.6 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 28000 ns, and Rise Time is 600 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 12.5 V, and Id Continuous Drain Current is 9 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 24 V, and Rds On Drain Source Resistance is 18 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 26000 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 340 ns, and Qg Gate Charge is 29 nC.

EFC4627R-A-TR with EDA / CAD Models, that includes Si Technology, they are designed to operate with a Reel Packaging, Transistor Polarity is shown on datasheet note for use in a N-Channel, that offers Transistor Type features such as 2 N-Channel, Number of Channels is designed to work in 2 Channel.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate, 2.5V Drive FET Feature
24V Drain to Source Voltage (Vdss)
6A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45mOhm @ 3A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
7nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.6W Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня, преобразователь 2,5 В
Конфигурация: 2 N-канальный (сдвоенный) общий сток
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 24V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6A (Ta)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 45 мОм @ 3 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7nC @ 4,5 В
Максимальная мощность: 1.6W
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 4-XFBGA
Поставщик Упаковка устройства: EFCP1313-4CC-037
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z