ON FCMT299N60
N-канальный600 V12A (Ta)3,5 В @ 250 мкА125 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFCMT299N60
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
₽189.13
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as server/telecom power, adaptor and solar inverter applications.The Power88 package is an ultra-slim surface-mount package (1 mm high) with a low profile and small footprint (8x8 mm2). SuperFET II MOSFET in a Power88 package offers excellent switching performance due to lower parasitic source inductance and separated power and drive sources. Power88 offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).
Features
SuperFET® II Series?TJ = 150°C @ 650 V
?250 mQ RDS(on) (Typ.)
?Extremely Low Gate Charge (Qg = 39 nC)
? Low Capacitance Effective Output (Typ. Coss(eff.) = 127 pF)
? Avalanche-tested to the nth degree
? Compliant with RoHS
Applications
? Power Supplies for Servers and Telecoms
? Inverters for solar power
? Receptacles
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperFET® II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Не для новых разработок
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 12A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 299 мОм @ 6А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 51 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1948 пФ при напряжении 380 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Power88
Упаковка / Кейс: 4-PowerTSFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN