ON FCP104N60
N-канальный600 V37A (Tc)3,5 В @ 250 мкА357 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFCP104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
₽275.91
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
Features
SuperFET® II SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
600 V Drain to Source Voltage (Vdss)
37A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
104mOhm @ 18.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
82 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4165 pF @ 380 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
357W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperFET® II
Пакет: Трубка
Статус части: Не для новых разработок
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 37A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 104 мОм @ 18,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 82 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4165 пФ при 380 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 357 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP