Свяжитесь с нами
pусский
FCP850N80Z

ON FCP850N80Z

N-канальный800 V8A (Tc)4,5 В @ 600 мкА136 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
onsemi
FCP850N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
FCP850N80Z Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽255.51

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Inaddition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress. Consequently, SuperFET IIMOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power andindustrial power applications.

Features

SuperFET® II Series


  • Advanced charge balance technology

  • Low on?resistance

  • Lower gate charge

  • Low conduction loss

  • Available in the TO-220 package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • AC-DC power supply

  • LED lighting

  • Audio

  • Laptop adapter

  • ATX power and industrial power applications


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperFET® II
Пакет: Трубка
Статус части: Не для новых разработок
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 850 мОм @ 3А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 600 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 29 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1315 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 136 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z