ON FCPF290N80
N-канальный800 V17A (Tc)4,5 В @ 1,7 мА40 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFCPF290N80
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
₽444.46
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailoredto minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Features
PowerTrench® SeriesAdvanced charge balance technology
Low on?resistance
Lower gate charge
Low conduction loss
Available in the TO-220F package
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPP220N25NFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 290 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 1,7 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 75 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3205 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA