ON FDA59N25
N-канальный250 V59A (Tc)5 В @ 250 мкА392W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDA59N25
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
₽34.82
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ SeriesRDS(on) = 49m? ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 29.5A
Low gate charge ( Typ. 63nC)
Low Crss ( Typ. 70pF)
100% avalanche tested
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDA24N40F
onsemi
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
FDA38N30
onsemi
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
FDA28N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
FDA24N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
FDA50N50
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDA50N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 48A TO3PN
FDA38N30
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDA20N50
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 59A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 49 мОм @ 29,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 82 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4020 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 392W (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-3PN
Упаковка / Кейс: К-3П-3, СК-65-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6