ON FDB070AN06A0
N-канальный60 V15A (Ta), 80A (Tc)4 В @ 250 мкА175 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
₽170.61
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features
PowerTrench® SeriesRDS(on) = 6.1m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
QG(tot) = 51nC (Typ.) @ VGS = 10V
Low Miller Charge
Low Qrr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
Synchronous Rectification for ATX
Server
Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB035N10A
onsemi
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FDB060AN08A0
onsemi
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
FDB050AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
FDB047N10
onsemi
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FDB024N08BL7
onsemi
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
FDB045AN08A0
onsemi
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
FDB045AN08A0
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7 мОм @ 80 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 66 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3000 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 175 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23