Свяжитесь с нами
pусский
FDB38N30U

ON FDB38N30U

N-канальный300 V38A (Tc)5 В @ 250 мкА313 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FDB38N30U Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽1132.63

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET has much superior body diode reverse recovery performance. Its trr is less than 50nsec and the reverse dv/dt immunity is 20V/nsec while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore UniFET Ultra FRFET MOSFET can remove additional component and improve system reliability in certain applications that require performance improvement of the MOSFET’s body diode. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Features

UniFET™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
300 V Drain to Source Voltage (Vdss)
38A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
120mOhm @ 19A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
73 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
3340 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
313W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 38A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 19 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 73 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3340 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 313 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z