ON FDB86102LZ
N-канальный100 V8,3 А (Ta), 30 А (Tc)3 В @ 250 мкА3,1 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
₽117.89
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Features
PowerTrench® SeriesMax rDs(on)= 24 mΩ at VGs= 10V,ID= 8.3A
Max rDs(on)= 35 mΩ atVGs=4.5V,lD=6.8A
HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)
Very low Qg and Qgd compared to competing trench technologies
Fast switching speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Applications
DC-DC conversion
Inverter
Synchronous Rectifier
Automotive
Infotainment & cluster
Communications equipment
Broadband fixed line access Industrial Industrial transport (non-car & non-light truck)
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB6670AL
onsemi
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB7030L
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB6670AL
onsemi
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB603AL
onsemi
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB6035AL
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB7045L
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB7030L
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8,3 А (Ta), 30 А (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 24 мОм @ 8,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 21 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1275 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,1 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23