ON FDBL86561-F085
N-канальный60 V300A (Tc)4 В @ 250 мкА429W (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
Сравнить






₽464.49
Обновление цены:несколько месяцев назадГарантия качества Bostock







Overview
FDBL86363_F085 with pin details, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.029986 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as MO-299A-8, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 357 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 33 ns, and Rise Time is 63 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is +/- 20 V, and Id Continuous Drain Current is 240 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 80 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 4.1 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 61 ns, and Typical Turn On Delay Time is 39 ns, and the Qg Gate Charge is 130 nC, and Channel Mode is Enhancement.
FDBL86561_F085 with EDA / CAD Models, that includes SMD/SMT Mounting Style, they are designed to operate with a Single Configuration, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Packaging features such as Reel, Transistor Polarity is designed to work in N-Channel, as well as the MO-299A-8 Package Case, the device can also be used as Enhancement Channel Mode. In addition, the Typical Turn Off Delay Time is 80 ns, the device is offered in 61 ns Rise Time, the device has a 60 V of Vds Drain Source Breakdown Voltage, and Typical Turn On Delay Time is 45 ns, and the Pd Power Dissipation is 429 W, and Fall Time is 41 ns, and the Id Continuous Drain Current is 300 A, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 2.2 mOhms, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V, and the Qg Gate Charge is 170 nC, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Number of Channels is 1 Channel, and Unit Weight is 0.029986 oz, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C.
Features
Tape & Reel (TR) Packagethe avalanche energy rating (Eas) is 1167 mJ
a 60V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
FDBL86561-F085 applications of single MOSFETs transistors.
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Стоимость фрахта начинается с $40, но цены в некоторых странах, таких как ЮжнаяАфрика, Бразилия, Индия, Пакистан и Израиль, могут отличаться.
- Основные расходы на перевозку посылок весом 0,5 кг или эквивалентного объема зависят от часовых поясов и страны.
- В настоящее время наша продукция поставляется с использованием DHL, SF и UPS. Для меньшего числа авиакомпаний FedEx является предпочтительным вариантом.
- После отгрузки предполагаемое время доставки зависит от выбранного метода перевозки.
Подготовить продукт

вакуумная упаковка

антистатический пакет

индивидуальная упаковка

упаковочная коробка

штрихкод этикетка для доставки


FDB86360-F085
onsemi
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

FCH067N65S3-F155
onsemi
MOSFET N-CH 650V 44A TO247

FDB9503L-F085
onsemi
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

FDB86363-F085
onsemi
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

FDBL86210
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET

FCH067N65S3-F155
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Популярные номера деталей
MBRS3100T3G
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
₽11.61В наличии :378225MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽7.03В наличии :837533SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.51В наличии :154367MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽205.19В наличии :27340MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.20В наличии :526462
MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽0.99В наличии :1434238MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.11В наличии :1273873MBR0530T1G
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
₽2.03В наличии :1964748NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.46В наличии :182760MBRS540T3G
DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
₽8.62В наличии :499601
MBRS3100T3G
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
₽11.61В наличии :378225MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽7.03В наличии :837533SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.51В наличии :154367MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽205.19В наличии :27340MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.20В наличии :526462
MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽0.99В наличии :1434238MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.11В наличии :1273873MBR0530T1G
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
₽2.03В наличии :1964748NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.46В наличии :182760MBRS540T3G
DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
₽8.62В наличии :499601
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3