Свяжитесь с нами
pусский
FDBL86561-F085

ON FDBL86561-F085

N-канальный60 V300A (Tc)4 В @ 250 мкА429W (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽464.49

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

FDBL86363_F085 with pin details, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.029986 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as MO-299A-8, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 357 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 33 ns, and Rise Time is 63 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is +/- 20 V, and Id Continuous Drain Current is 240 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 80 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 4.1 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 61 ns, and Typical Turn On Delay Time is 39 ns, and the Qg Gate Charge is 130 nC, and Channel Mode is Enhancement.

FDBL86561_F085 with EDA / CAD Models, that includes SMD/SMT Mounting Style, they are designed to operate with a Single Configuration, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Packaging features such as Reel, Transistor Polarity is designed to work in N-Channel, as well as the MO-299A-8 Package Case, the device can also be used as Enhancement Channel Mode. In addition, the Typical Turn Off Delay Time is 80 ns, the device is offered in 61 ns Rise Time, the device has a 60 V of Vds Drain Source Breakdown Voltage, and Typical Turn On Delay Time is 45 ns, and the Pd Power Dissipation is 429 W, and Fall Time is 41 ns, and the Id Continuous Drain Current is 300 A, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 2.2 mOhms, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V, and the Qg Gate Charge is 170 nC, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Number of Channels is 1 Channel, and Unit Weight is 0.029986 oz, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C.

Features

Tape & Reel (TR) Package
the avalanche energy rating (Eas) is 1167 mJ
a 60V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
FDBL86561-F085 applications of single MOSFETs transistors.

  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 300A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,1 мОм при 80 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 220 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 13650 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 429W (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-HPSOF
Упаковка / Кейс: 8-PowerSFN
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z