Свяжитесь с нами
pусский
FDC6321C

ON FDC6321C

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы25V680 мА, 460 мА450 мОм @ 500 мА, 4,5 В1,5 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
FDC6321C
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
FDC6321C Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽29.80

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this dual digital FET can replace several digital transistors with different bias resistors.

Features

Tape & Reel (TR) Package


? N?Channel 0.68 A, 25 V

RDS(ON) = 0.45  @ VGS = 4.5 V

? P?Channel ?0.46 A, ?25 V

RDS(ON) = 1.1  @ VGS = ?4.5 V

? Very Low Level Gate Drive Requirements Allowing Direct

Operation in 3 V Circuits. VGS(th) < 1.0 V.

? Gate?Source Zener for ESD Ruggedness. >6 kV Human Body Model

? Replace Multiple Dual NPN & PNP Digital Transistors

? This is a Pb?Free Device

 

Surface Mount Mounting Type

Applications


low voltage applications 




Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 680 мА, 460 мА
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 450 мОм @ 500 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,3 нК @ 5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 50пФ @ 10В
Максимальная мощность: 700 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z