ON FDC8886
N-канальный30 V6,5A (Ta), 8A (Tc)3 В @ 250 мкА1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDC8886
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
₽283.11
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge
Low RDS (on)
Low on-state resistance
Superior switching performance
Available in the SuperSOT-6 package
Applications
low-voltage and battery-powered applicatoins
Uiniterruptible power supplies
Synchronous rectification
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC697P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
FDC8884
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDC86244
onsemi
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
FDC699P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
FDC796N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FDC8602
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
FDC699P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
FDC796N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FDC697P
onsemi
8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6,5A (Ta), 8A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 23 мОм @ 6,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7,4 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 465 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23