Свяжитесь с нами
pусский
FDD3510H

ON FDD3510H

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-канальные, с общим стоком80V4.3A, 2.8A80 мОм @ 4,3 А, 10 В4 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
FDD3510H
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
FDD3510H Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽368.26

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses a advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
80V Drain to Source Voltage (Vdss)
4.3A, 2.8A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80mOhm @ 4.3A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
18nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
800pF @ 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.3W Power - Max
Surface Mount Mounting Type

Applications


Q1: N-Channel

Max rDS(on) = 80m? at VGS = 10V, ID = 4.3A

 Max rDS(on) = 88m? at VGS = 6V, ID = 4.1A

Q2: P-Channel

Max rDS(on) = 190m? at VGS = -10V, ID = -2.8A

Max rDS(on) = 224m? at VGS = -4.5V, ID = -2.6A

100% UIL Tested

RoHS Compliant

 

FDD3510H    Applications


Inverter

 H-Bridge

 


 


 



Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-канальные, с общим стоком
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.3A, 2.8A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 80 мОм @ 4,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 800 пФ @ 40 В
Максимальная мощность: 1.3W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: TO-252-5, DPak (4 вывода + накладка), TO-252AD
Поставщик Упаковка устройства: TO-252 (DPAK)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.