ON FDD3680
N-канальный100 V25A (Ta)4 В @ 250 мкА68 Вт (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD3680
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
₽6.42
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features
PowerTrench® SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
25A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
46mOhm @ 6.1A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
53 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1735 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
68W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD1600N10ALZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
FDD3672
onsemi
MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDD2670
onsemi
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
FDD2582
onsemi
MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
FDD3670
onsemi
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
FDD3670
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 25A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 46 мОм @ 6,1А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 53 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1735 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 68 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252, (D-Pak)
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3