ON FDD5680
N-канальный60 V8,5A (Ta)4 В @ 250 мкА2,8 Вт (Ta), 60 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD5680
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
₽10.08
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Features
PowerTrench® Series38 A, 60 V
RDS(on) = 21 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 25 mΩ @ VGS = 6 V
Low gate charge (33nC typical)
Fast switching speed
High-performance trench technology for extremely low RDS(on)
Applications
DC/DC converter
Motor drives
Power switching circuits
Amplifier circuits
PWM applications
Regulator circuits
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD5612
onsemi
MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
FDD5670
onsemi
MOSFET N-CH 60V 52A TO252
FDD4N60NZ
onsemi
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
FDD4685-F085
onsemi
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
FDD5614P
onsemi
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
FDD5612
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD5670
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDD4N60NZ
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 21 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 46 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1835 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,8 Вт (Ta), 60 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252, (D-Pak)
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN