ON FDD6685
P-канал30 V11A (Ta), 40A (Tc)3 В @ 250 мкА52 Вт (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
₽90.69
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® Series-40A, -30V
RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = -4.5V
Fast switching speed
High-performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability
Applications
Induction furnaces
Arc furnaces and arc welders
Steel rolling mills
Large motors with periodic loading
Thyristor drives
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD6612A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
FDD6530A
onsemi
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
FDD6635
onsemi
MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
FDD6680A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
FDD6606
onsemi
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
FDD6630A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
FDD6612A
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDD6606
onsemi
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
FDD6680A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
FDD6530A
onsemi
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 11 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 24 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1715 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 52 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP