Свяжитесь с нами
pусский
FDD850N10L

ON FDD850N10L

N-канальный100 V15.7A (Tc)2,5 В @ 250 мкА50 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDD850N10L
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
FDD850N10L Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽96.68

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Features

PowerTrench® Series


  • Fast Switching

  • RoHS Compliant

  • Low Crss ( Typ. 42pF)

  • 100% Avalanche Tested

  • Improve dv/dt Capability

  • Low Gate Charge ( Typ. 22.2nC)

  • RDS(on) = 61m? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A

  • RDS(on) = 64m? ( Typ.) @ VGS = 5V, ID = 12A



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • LED TV

  • DC-DC converters

  • Consumer Appliances

  • Synchronous Rectification


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15.7A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 75 мОм @ 12 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 28,9 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1465 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z