Свяжитесь с нами
pусский
FDD86250-F085

ON FDD86250-F085

N-канальный150 V50A (Tc)4 В @ 250 мкА160 Вт (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDD86250-F085
MOSFET N-CH 150V 50A TO252
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽89.41

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDD86102LZ is MOSFET N-CH 100V 8A DPAK, that includes PowerTrenchR Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.009184 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, as well as the Si Technology, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ). In addition, the Mounting Type is Surface Mount, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a TO-252, (D-Pak) of Supplier Device Package, and FET Type is MOSFET N-Channel, Metal Oxide, and the Power Max is 3.1W, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Drain to Source Voltage Vdss is 100V, and Input Capacitance Ciss Vds is 1540pF @ 50V, and the FET Feature is Standard, and Current Continuous Drain Id 25°C is 8A (Ta), 35A (Tc), and the Rds On Max Id Vgs is 22.5 mOhm @ 8A, 10V, and Vgs th Max Id is 3V @ 250μA, and the Gate Charge Qg Vgs is 26nC @ 10V, and Pd Power Dissipation is 54 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, and Id Continuous Drain Current is 42 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and Rds On Drain Source Resistance is 31 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Qg Gate Charge is 18 nC, and the Forward Transconductance Min is 31 S.

The FDD86113LZ is MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3, that includes TO-252-3 Package Case, they are designed to operate with a SMD/SMT Mounting Style, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Packaging features such as Reel, Transistor Polarity is designed to work in N-Channel, as well as the 4.2 A Id Continuous Drain Current, the device can also be used as 3.1 W Pd Power Dissipation. In addition, the Rds On Drain Source Resistance is 104 mOhms, the device is offered in 100 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, the device has a 1 N-Channel of Transistor Type, and Number of Channels is 1 Channel, and the Unit Weight is 0.009184 oz, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C.

Features

Tape & Reel (TR) Package
the avalanche energy rating (Eas) is 80 mJ
a 150V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
FDD86250-F085 applications of single MOSFETs transistors.

  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
  • PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 50A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 22 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 37 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1900 пФ @ 75 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 160 Вт (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z