ON FDFS2P106A
P-канал60 V3A (Ta)3 В @ 250 мкА900 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
₽372.70
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDFS2P106A combines the exceptional performance of PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low on-state resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.
Features
PowerTrench® Series–3.0 A, –60V
VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)
Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount SO-8 package
Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD8896
onsemi
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FDD8882
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
FDFS2P102A
onsemi
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
FDFME3N311ZT
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDFME3N311ZT
onsemi
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
FDD8896
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8882
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDFS2P102A
onsemi
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
FDFME3N311ZT
onsemi
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6UMLP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 110 мОм @ 3А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 21 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 714 пФ при 30 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET